半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法标准立项修订与发展报告.docxVIP

《半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第2部分：缺陷的光学检测方法》标准发展研究报告

EnglishTitle:DevelopmentResearchReportontheStandardof“Semiconductordevices—Non-destructiverecognitioncriteriafordefectsinsiliconcarbidehomoepitaxialwafersforpowerdevices—Part2:Opticalinspectionmethodsfordefects”

摘要

本报告旨在系统阐述国家标准《半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第2部分：缺陷的光学检测方法》的立项背景、核心内容、技术价值及其对产业发展的深远意义。碳化硅（SiC）作为第三代半导体的核心材料，在新能源汽车、轨道交通、智能电网等高压、高频、高温应用场景中展现出巨大潜力。然而，SiC同质外延片中的晶体缺陷是制约器件性能、成品率及长期可靠性的关键瓶颈。本标准的制定，积极响应了《新材料标准领航行动计划（2018-2020年）》、《新材料产业发展指南》等国家政策对先进半导体材料标准化的战略部署，旨在填补国内在SiC外延缺陷光学检测方法标准领域的空白。

报告详细分析了该标准的目的与意义，指出其通过等同采用国际电工委员会标准IEC63068-2:2019，建立了与国际接轨的、统一的SiC外延缺陷光学检测与识别判据体系。标准的核心技术内容涵盖了测试条件、参数设置、检测步骤、缺陷评价及报告规范，并对微管、基平面位错、堆垛层错等十余种关键缺陷的光学特征进行了图示化定义。本标准的实施，将为SiC外延材料的生产商、器件制造商及研发机构提供科学、可靠、无损的质量评估工具，有效促进产业链上下游的技术沟通与质量管控，降低研发与生产成本，加速我国SiC产业的健康、规范化发展，提升国际竞争力。

关键词：碳化硅；同质外延片；缺陷检测；光学检测；无损表征；标准化；第三代半导体；功率器件

Keywords:SiliconCarbide(SiC);HomoepitaxialWafer;DefectInspection;OpticalInspection;Non-destructiveCharacterization;Standardization;Third-GenerationSemiconductor;PowerDevice

正文

一、立项背景与目的意义

宽禁带半导体材料碳化硅（SiC）因其具有高击穿电场强度、高饱和电子漂移速率、高热导率等卓越的物理特性，已成为制造高压、大功率、高频、高温功率器件的理想衬底材料，被广泛应用于新能源汽车电驱系统、充电桩、光伏逆变器、工业电机驱动及轨道交通等领域，属于国家战略性新兴产业中的关键先进材料。

碳化硅外延材料生长于单晶衬底之上，是制造肖特基二极管（SBD）、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）等功率器件的核心基础材料，扮演着连接衬底与器件功能的“技术桥梁”角色。然而，在SiC同质外延生长过程中，不可避免地会引入或衍生出各种晶体缺陷，如微管（MP）、螺纹位错（TSD、TED）、基平面位错（BPD）、堆垛层错（SF）以及各类表面缺陷（如划痕、颗粒包裹体）等。这些缺陷会显著劣化器件的电学性能，例如导致漏电流增大、击穿电压降低、导通电阻不均匀，并严重影响器件的长期可靠性与使用寿命。因此，对外延片缺陷进行精确、快速、无损的检测与分类，是评估材料质量、优化生长工艺、提升器件成品率及可靠性的先决条件，对全产业链的技术进步至关重要。

国家层面高度重视新材料及半导体产业的标准化工作。《新材料标准领航行动计划（2018-2020年）》在“先进半导体材料”领域明确提出了建立碳化硅相关标准体系的任务。《新材料产业发展指南》将宽禁带半导体材料列为重点发展方向。《重点新材料首批次应用示范指导目录（2019年版）》亦将碳化硅外延片列入关键战略材料清单。在此背景下，制定《半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第2部分：缺陷的光学检测方法》国家标准，具有重大的现实意义和战略价值。

本标准通过等同采用国际先进标准IEC63068-2:2019，旨在实现以下目标：1.统一检测方法：为行业提供一套科学、规范、可重复的光学检测方法，消除不同实验室、企业间因检测条件、判据不一导致的结果差异。2.建立共同语言：明确定义44个相关术语（如光学成像、反射光、散射光等），为产业链上下游的技术交流与质量判定提供统一基准。3.指导产业实践：直接服务于