CN110926620A 一种基于单晶硅基底的红外靶标及其制作方法、保护结构 （北京振兴计量测试研究所）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN110926620A布日2020.03.27

(21)申请号201811092252.6

(22)申请日2018.09.19

(71)申请人北京振兴计量测试研究所

地址100074北京市丰台区云岗北区西里1

号院30号楼

(72)发明人宋春晖曹清政王加朋王莹莹

(51)Int.CI.

G01J5/02(2006.01)

G01J5/08(2006.01)

权利要求书2页说明书5页附图2页

(54)发明名称

一种基于单晶硅基底的红外靶标及其制作方法、保护结构

(57)摘要

CN110926620A本发明提供了一种基于单晶硅基底的红外靶标及其制作方法、保护结构，红外靶标包括单晶硅基底，单晶硅基底的厚度为100μm,单晶硅基底上设置有镂空图形，单晶硅基底的反射面上设置有高反射率膜，高反射率膜上设置有保护膜；采用单晶硅作为基底，使其在镂空图形的加

CN110926620A

制备单晶硅基底

制备单晶硅基底

对所述单晶硅基底的反射面进行抛光处理

对所述单晶硅基底进行图案化，形成缕空图形

在所述单晶硅基底的反射面上破高反射率膜

在所述高反射率膜上镀保护膜，形成红外靶标

将所述红外靶标安装于所述保护结构中

对所述红外靶标进行尺寸测量和反射率测量

步骤S301

步骤S302

步骤S303

步骤S304

步骤S305

步骤S306

步骤S307

CN110926620A权利要求书1/2页

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1.一种基于单晶硅基底的红外靶标，其特征在于，包括单晶硅基底；

所述单晶硅基底的厚度为100μm;

所述单晶硅基底上设置有镂空图形；

所述单晶硅基底的反射面上设置有高反射率膜；

所述高反射率膜上设置有保护膜。

2.根据权利要求1所述的基于单晶硅基底的红外靶标，其特征在于，所述单晶硅基底为圆形结构，所述镂空图形设置在所述单晶硅基底的几何中心处。

3.根据权利要求1所述的基于单晶硅基底的红外靶标，其特征在于，所述镂空图形为四杆靶，所述四杆靶的狭缝宽度为44μm至56μm,狭缝长度为350μm。

4.根据权利要求1所述的基于单晶硅基底的红外靶标，其特征在于，所述高反射率膜为金膜，所述保护膜为硫化锌膜。

5.根据权利要求4所述的基于单晶硅基底的红外靶标，其特征在于，所述高反射率膜的厚度为150nm,所述保护膜的厚度为200nm。

6.一种红外靶标的保护结构，其特征在于，应用于如权利要求1-5任一所述的红外靶标，所述保护结构包括靶标底板、靶标盖板、紧固螺钉、上保护垫和下保护垫；

所述靶标底板通过紧固螺钉与所述靶标盖板固定连接，所述靶标底板上设置有凹槽，所述上保护垫和下保护垫设置在所述凹槽内，所述上保护垫和下保护垫之间形成安装空间，所述红外靶标设置于所述安装空间内。

7.一种基于单晶硅基底的红外靶标的制作方法，其特征在于，包括：

制备单晶硅基底；

对所述单晶硅基底的反射面进行抛光处理；

对所述单晶硅基底进行图案化，形成镂空图形；

在所述单晶硅基底的反射面上镀高反射率膜；

在所述高反射率膜上镀保护膜，形成红外靶标；

将所述红外靶标安装于所述保护结构中；

对所述红外靶标进行尺寸测量和反射率测量。

8.根据权利要求7所述的基于单晶硅基底的红外靶标的制作方法，其特征在于，采用激光切割对所述单晶硅基底进行图案化。

9.根据权利要求7所述的基于单晶硅基底的红外靶标的制作方法，其特征在于，对所述红外靶标进行反射率测量，包括：

将标准点源黑体加热至500℃,采用热像仪对准标准点源黑体的辐射口，获得辐射口的第一温场图像；

将所述红外靶标与所述标准点源黑体的辐射呈45°放置，获得辐射口经红外靶标后的第二温场图像；

根据所述第一温场图像和第二温场图像计算获得温度平均值，根据所述温度平均值计算红外靶标的反射率。

10.根据权利要求9所述的基于单晶硅基底的红外靶标的制作方法，其特征在于，所述反射率通过以下公式进行计算：

ε=(Te/Ts)?;

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其中，ε为反射率，Te为通过第二温场图像获得的温度平均值，Ts为通过第一温场图像获得的温度平均值。

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