极紫外(EUV)光刻胶测试方法编制说明.pdfVIP

ICS31.030

CCSL90

中华人民共和国国家标准

GB/TXXXXX—XXXX

极紫外（EUV）光刻胶测试方法

Testmethodsofextremeultraviolet(EUV)photoresist

(征求意见稿)

XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施

GB/TXXXXX—XXXX

前  言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规

定起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）提出并归口。

本文件起草单位：上海大学、张江实验室、苏州国家实验室、上海集成电路材料研究院有限公司、

大连理工大学、上海滴水微光科技有限公司、华睿芯材（无锡）科技有限公司。

本文件主要起草人:张建华、辛涵申、闫腾飞、李浩源、丁星、朱慧娥、徐文涛、鲁湛、李春华、

刘兵、陈鹏忠、彭孝军、樊江莉、李文启、苏阳、胡杨。

1

GB/TXXXXX—XXXX

极紫外（EUV）光刻胶测试方法

1范围

本文件规定了极紫外（EUV）光刻胶关键杂质测试、成分分析、放气污染、抗刻蚀性能、线边缘粗

糙度和线宽粗糙度、分辨率、灵敏度和对比度指标的检测方法及评判标准。

本文件适用于聚合物基化学放大型EUV光刻胶，光致产酸剂等EUV光刻胶原材料的测试。该类型的

产品主要用于集成电路制造和半导体光刻等领域。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T25915.1洁净室及相关受控环境第1部分：按粒子浓度划分空气洁净度等级

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

3.1

EUV光刻胶EUVphotoresist

应用于波长为10nm~14nm的极紫外光刻的光致抗蚀剂。

4理化性能

4.1关键杂质测试

4.1.1水分含量

4.1.1.1原理

卡尔费休法的核心是碘（I₂）与二氧化硫（SO₂）在特定溶剂（如甲醇）和有机碱（如吡啶或咪唑）

存在下，与水（H₂O）发生的定量氧化还原反应，其中碘由电解池现场电解生成，用电量计算水量。

4.1.1.2试验条件

除非另有规定，测试应在下列条件下进行：

a）环境温度为20℃~25℃；

b）称量、取样、注射器充装全程在惰性气氛手套箱（水含量≤1ppm，N₂/Ar正压≥50Pa）内完

成。

4.1.1.3仪器设备

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GB/TXXXXX—XXXX

测试所需仪器用具及操作应满足以下要求：

a)卡尔费休库仑仪；

b)电解池：阳极液（醛酮型）、阴极液（通用型）；

c)天平：精度不低于0.1mg；

d)手套箱：水含量≤1ppm；

e）固体称重：采用称量纸或铝箔包裹后，去皮称重。

f）注射器或移液管取样。

4.1.1.4试验步骤

按照以下步骤顺序进行测试。

a）安装电解池，检漏，启动；

b）输入样品质量m样；

c）固体：顶空瓶或干燥炉120℃，载气100mL/min，萃取5min；液体：注射器快速穿隔膜，注

入0.1g–1g，立即拔出；

d）