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元器件降额准则GJBZ35-1993

在电子设备的设计与制造中，元器件的可靠性直接决定了整个系统的稳定运行与寿命。元器件降额使用，作为一项经过实践验证的可靠性设计技术，通过有意识地降低元器件在实际工作中所承受的应力（如电应力、温度应力等），使其低于额定值，从而有效延缓元器件的老化速度，降低故障率，提升设备在预期寿命内的可靠度。GJBZ____《元器件降额准则》正是我国在这一领域的指导性文件，为军工及高可靠性要求的电子设备提供了系统的降额设计依据。本文将深入解读该准则的核心内容、应用方法及实践意义，旨在为工程技术人员提供一份专业且实用的参考。

一、降额准则的核心理念与通用原则

GJBZ____的制定，是以大量的元器件可靠性数据和工程经验为基础，其根本目标在于通过科学合理的降额，确保元器件在规定的工作条件下，能够稳定可靠地完成其预定功能。

该准则强调，降额设计并非简单地降低应力，而是一个需要综合考量的系统性过程。其通用原则包括：

1.首要目标是可靠性：降额的核心目的是提高元器件乃至整个设备的固有可靠性，降低早期故障和随机故障的发生概率。

2.统筹兼顾：在追求高可靠性的同时，还需考虑设计的经济性、体积、重量等因素，避免过度降额导致资源浪费或设计难以实现。

3.区分对待：不同类型的元器件，其主要的失效机理和对不同应力的敏感程度各不相同。因此，降额参数和降额程度的选择需因“件”而异。

4.应力参数的选取：应针对影响元器件可靠性的主要应力进行降额。通常包括电应力（如电压、电流、功率）和温度应力（如环境温度、结温、壳温）。对于某些元器件，振动、冲击等机械应力也可能是需要考虑的因素。

5.降额等级的划分：准则通常会根据设备的重要程度、使用环境的严酷程度、维修的难易程度以及元器件本身的成熟度等因素，将降额要求划分为不同等级（如Ⅰ级、Ⅱ级、Ⅲ级），对应不同的降额比例。

二、主要元器件的降额要求解析

GJBZ____对各类常用电子元器件的降额参数和降额限值做出了具体规定。理解并掌握这些要求，是进行有效降额设计的关键。

电阻器的降额

电阻器的主要降额参数为功率和环境温度。准则中，电阻器的功率降额通常以额定功率与实际耗散功率之比来表示，同时会考虑环境温度对额定功率的影响（即“降额曲线”）。一般而言，在规定的最高环境温度下，实际耗散功率不应超过其额定功率的某个百分比（例如，对于某些类型的电阻，在最高环境温度时可能要求降额至50%或更低）。对于线绕电阻，还需注意其电流密度，避免过大电流产生的电磁效应或机械应力问题。

电容器的降额

电容器的降额参数主要包括工作电压、纹波电流和环境温度。

*电压降额：这是电容器降额的核心。施加在电容器两端的直流工作电压与交流峰值电压之和，不应超过其额定电压的一定比例。不同类型的电容器（如陶瓷、薄膜、电解电容），其电压降额要求有所不同，电解电容器通常对电压降额更为敏感。

*纹波电流降额：对于有纹波电流通过的电容器（如电源滤波电容），其实际纹波电流应低于额定纹波电流，特别是在高温环境下，纹波电流的降额要求更为严格，以防止过热失效。

*温度对电容器的寿命和参数稳定性影响显著，因此环境温度和电容器自身的温升也需严格控制在规定范围内。

半导体分立器件的降额

半导体器件（二极管、三极管、MOSFET等）的降额是设计中的重点，因其对电应力和温度应力极为敏感。主要降额参数包括：

*电压降额：反向击穿电压、正向电压（对某些器件）等。

*电流降额：平均正向电流、峰值正向电流、集电极电流、漏极电流等。

*功率降额：耗散功率，这通常与结温紧密相关。

*结温控制：半导体器件的结温是影响其可靠性和寿命的最关键因素之一。实际工作结温必须严格控制在额定结温以下，并留有足够余量。这需要通过合理的功率降额和有效的散热设计共同实现。例如，对于硅半导体器件，其最高结温通常在150°C或175°C，实际应用中应根据降额等级控制在更低水平。

集成电路的降额

集成电路（IC）的降额参数主要包括电源电压、输入/输出电压、工作电流、功耗以及结温（或壳温）。

*电源电压的波动范围和稳态值均需在IC手册规定的范围内，并根据降额等级适当降低。

*输入输出引脚的电压和电流应力不应超过其额定值。

*对于数字IC，需关注其动态功耗和静态功耗，确保总功耗带来的温升在允许范围内。

*结温（或壳温）的控制同样至关重要，特别是对于功率集成电路和工作在高频、高负载条件下的IC。

连接器与继电器的降额

*连接器：主要降额参数为额定电流和接触电阻。实际工作电流通常应低于额定电流的一定比例，以减少接触点的发热和磨损，确保低而稳定的接触电阻。环境温度升高时，电流降额要求更为严格。

*继电器：主要考虑线圈