CN109860112A 半导体装置的制作方法 （台湾积体电路制造股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN109860112A

(43)申请公布日2019.06.07

(21)申请号201810372943.5

(22)申请日2018.04.24

(30)优先权数据

62/593,0552017.11.30US

15/876,1752018.01.21US

(71)申请人台湾积体电路制造股份有限公司

地址中国台湾新竹市新竹科学工业园区力

行六路八号

(72)发明人洪志昌古淑瑗杨宜伟萧怡瑄张铭庆陈嘉仁

(74)专利代理机构北京律诚同业知识产权代理有限公司11006

代理人徐金国

(51)Int.CI.

H01L21/8234(2006.01)

权利要求书1页说明书12页附图22页

(54)发明名称

CN109860112A

CN109860112A

(57)摘要

在此揭露具有切割深度控制的半导体结构及其制作方法。在半导体装置的制作方法中，首先，形成从基材突伸出的鳍片。然后，成长源极/漏极元件于鳍片的两端。接着，沉积跨越鳍片并包围源极/漏极元件的层间介电层。被层间介电层所包围的金属栅极结构是形成于源极/漏极元件之间。接着，进行替换操作，以将层间介电层的一部分替换为隔离材料，而形成相邻于金属栅极结构且位于相邻源极/漏极元件之间的隔离部分。然后，进行金属栅极切割操作，以形成金属栅极结构中的开口和隔离部分中的开口，而绝缘材料是沉积于这些开口中。

200

形成第一鳍片与第二鳍片

形成沟槽隔离于相邻鳍片之间

誓麓盘简荠电层的一部芬

形成越过第一热片与第二鳍片的虚设础极堆叠

进行金属栅极切割操作

成长源极/漏极装置于第一鳍片和第二结片上的虚设福极堆叠的两倒上

沉积越过第一结片与第二精片并包围源极/漏极装置的层间介电层

移除虚设描极维叠共成金属

形成分离插塞于开口中

250-

270

280

CN109860112A权利要求书1/1页

2

1.一种半导体装置的制作方法，其特征在于，该制作方法包含：

形成一第一鳍片与一第二鳍片，其中该第一鳍片与该第二鳍片分别从一基材突伸出；成长多个源极/漏极元件于该第一鳍片的两端和该第二鳍片的两端上；

沉积一层间介电层，其中该层间介电层跨越该第一鳍片和该第二鳍片，并包围所述多个源极/漏极元件；

形成一金属栅极结构，其中该金属栅极结构跨越该第一鳍片和该第二鳍片，并被该层间介电层所包围，且该金属栅极结构是形成于所述多个源极/漏极之间；

进行一替换操作，以将该层间介电层的一部分替换为一隔离材料，而形成一隔离部分，其中该隔离部分接触该金属栅极结构的两侧的每一者，且该金属栅极结构是位于该第一鳍片与该第二鳍片之间；

进行一金属栅极切割操作于一切割区域，而形成一第一开口于该金属栅极结构中与一第二开口于该隔离部分中，其中该切割区域是延伸穿过该金属栅极结构至该隔离部分，且相较于对该金属栅极结构，该金属栅极切割操作的一蚀刻剂对该隔离部分具有较低的一蚀刻选择率，以致于该第一开口的一第一深度是大于该第二开口的一第二深度；以及

以一绝缘材料填充该第一开口与该第二开口。

CN109860112A说明书1/12页

3

半导体装置的制作方法

技术领域

[0001]本揭露是有关一种半导体结构的制作方法，且特别是提供一种具有切割深度控制的半导体结构的制作方法。

背景技术

[0002]在半导体技术中，为形成特定的半导体元件(例如：源极/漏极元件、栅极结构、隔离或内连接等),半导体晶圆经历各种处理操作，而达成所要求的功效或功能。其次，为封装与制作半导体晶片，对半导体晶圆进行切割操作。然而，随着技术节点尺寸的缩小，与临界尺寸的缩减，切割操作的临界尺寸要求变得更为严峻。此外，半导体元件于切割操作的期间易被蚀刻剂所损坏。

发明内容

[0003]根据本揭露的一些实施例，本揭露揭示一种半导体装置的制作方法。形成从基材突伸出的第一鳍片与第二鳍片。接着，成长源极/漏极元件于第一鳍片的两末端与第二鳍片的两末端。然后，沉积层间介电层，其中层间介电层跨越第一鳍片和第二鳍片，并包围源极/漏极元件。在沉积层间介电层后，形成金属栅极结构，其中金属栅极结构跨越第一鳍片与第二鳍片，并被层