CN109411546A SiC沟槽MOS器件及其制作方法 （秦皇岛京河科学技术研究院有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN109411546A布日2019.03.01

(21)申请号201811288730.0

(22)申请日2018.10.31

HO1L21/336(2006.01)

(71)申请人秦皇岛京河科学技术研究院有限公

司

地址066004河北省秦皇岛市市辖区经济

技术开发区数谷大道2号数谷大厦

1402-2房间

(72)发明人邵锦文侯同晓孙致祥贾仁需元磊张秋洁刘学松

(74)专利代理机构西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)61230

代理人张晓

(51)Int.CI.

H01L29/786(2006.01)

H01L29/06(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图4页

(54)发明名称

SiC沟槽MOS器件及其制作方法

(57)摘要

CN109411546A本发明涉及一种SiC沟槽MOS器件，包括：从下到上依次层叠设置的漏极、SiC衬底层层、N型掺杂外延层、P型掺杂外延层、N型掺杂外延层；P型掺杂外延层，设置在N型掺杂外延层、P型掺杂外延层中间，且延伸至N型掺杂外延层，延伸深度不超过N型掺杂外延层厚度的一半；其中，P型掺杂外延层两侧延伸到部分N型掺杂外延层上；SiO2栅氧化层，设置在P型掺杂外延层上；栅极，设置在SiO?栅氧化层上；源极，设置在N型重掺杂外延层上两侧的部分区域；本发明实施例，降低了导电沟道中载流子碰撞或散射几率，改善了SiCMOSFET

CN109411546A

CN109411546A权利要求书1/1页

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1.一种SiC沟槽MOS器件，其特征在于，包括：从下到上依次层叠设置的漏极(9)、SiC衬底层(8)、N型掺杂外延层(7)、P型掺杂外延层(6)、N型掺杂外延层(5);

P型掺杂外延层(3),设置在所述N型掺杂外延层(5)、所述P型掺杂外延层(6)中间，且延伸至所述N型掺杂外延层(7),延伸深度不超过所述N型掺杂外延层(7)厚度的一半；其中，P型掺杂外延层(3)两侧延伸到部分所述N型掺杂外延层(5)上；

SiO?栅氧化层(2),设置在所述P型掺杂外延层(3)上；

栅极(1),设置在所述SiO?栅氧化层(2)上；

源极(4),设置在所述N型重掺杂外延层(5)上两侧的部分区域。

2.根据权利要求1所述的一种SiC沟槽MOS器件，其特征在于，所述N型掺杂外延层(7)的厚度为5～35μm,掺杂浓度为1×1015cm?3~1×101?cm-3。

3.根据权利要求1所述的一种SiC沟槽MOS器件，其特征在于，所述P型外延层(6)的厚度为0.5～2μm,掺杂浓度为1×101cm?3~5×101cm?3。

4.根据权利要求1所述的一种SiC沟槽MOS器件，其特征在于，所述N型掺杂外延层(5)的厚度为0.2～0.3μm,掺杂浓度为1×101?cm-3~5×101?cm-3。

5.根据权利要求1所述的一种SiC沟槽MOS器件，其特征在于，所述P型掺杂外延层(3)的厚度为0.01～0.1μm,掺杂浓度为1×101?cm?3~1×101?cm?3。

6.根据权利要求1所述的一种SiC沟槽MOS器件，其特征在于，所述SiO?栅氧化层(2)的厚度为20～60nm。

7.根据权利要求1所述的一种SiC沟槽MOS器件，其特征在于，所述源极(4)材料为Ti/A1合金，其中，Ti的厚度为30～100nm,Al的厚度为100～300nm。

8.根据权利要求1所述的一种SiC沟槽MOS器件，其特征在于，所述漏极(9)材料为Ti/Al合金，其中，Ti的厚度为30～100nm,Al的厚度为100～300nm。

9.一种SiC沟槽MOS器件的制作方法，步骤包括：

S1、在SiC衬底层(8)上生长N型掺杂外延层(7);

S2、在所述N型掺杂外延层上生长P型掺杂外延层(6);

S3、在所述P型掺杂外延层(6)上生长N型掺杂外延层(5);

S4、采用干法刻蚀工艺，依次刻蚀所述N型掺杂外延层(5)、所述P型外延层(6)和所述N型掺杂外延层(7)的中间区域，刻蚀到所述N型掺杂外延层(7)中间且不超过其厚度的一半，形成凹槽结构(10);

S5、在所述刻蚀形成的凹槽结构底面和侧壁上外延一层P型掺杂外延层(3),且所述P型掺杂外延层(3)与两