CN109841612A 制作集成电路装置的方法 （台湾积体电路制造股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN109841612A布日2019.06.04

(21)申请号201810190899.6

(22)申请日2018.03.08

(30)优先权数据

15/825,3632017.11.29US

(71)申请人台湾积体电路制造股份有限公司

地址中国台湾新竹科学工业园区新竹市力

行六路八号

(72)发明人比斯瓦思希兰梅王中兴林晋申杨国男

(74)专利代理机构南京正联知识产权代理有限公司32243

代理人顾伯兴

(51)Int.CI.

HO1L27/02(2006.01)

GO6F17/50(2006.01)

权利要求书1页说明书8页附图8页

(54)发明名称

CN109841612A

CN109841612A

(57)摘要

一种制作集成电路装置的方法。设计集成电路装置的方法包括接收集成电路装置的初始设计，所述初始设计包括集成电路组件的功能群组的选择及位置、具有用于向组件供电的多层导电线的电源网格以及对不同层的导电线进行内连的具有一种或多种初始大小的通孔。所述方法还包括基于例如存在功能部件的未被占据的空间等预定准则来确定可进行通孔修改。所述方法还包括使用具有更大横截面积的经修改通孔或总横截面积比初始通孔大的多个通孔替代所述通孔中的一个或多个通孔。所述方法还包括确认经修改的设计符合预定的一组设计规则。

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CN109841612A权利要求书1/1页

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1.一种制作集成电路装置的方法，其特征在于，所述方法包括：

通过接收第一层导电接点中的第一导电接点部分的位置及第二层导电接点中的第二导电接点部分的位置、对所述第一导电接点部分与所述第二导电接点部分进行电内连的第一通孔的位置及第一大小以及集成电路组件的功能群组的选择及位置来接收集成电路装置的第一设计；

基于预定准则来确定能够对所述第一设计进行修改；

通过使用具有更大横截面积的经修改通孔或总横截面积比所述第一通孔大的多个通孔替代所述第一通孔来修改所述集成电路装置的所述第一设计；以及

确认经修改的所述第一设计符合预定的一组设计规则。

CN109841612A说明书1/8页

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制作集成电路装置的方法

技术领域

[0001]本公开大体来说涉及集成电路(IC)设计及制造，且更具体来说，涉及性能及可靠性提高的集成电路产品及方法。

背景技术

[0002]集成电路包括多个(有时成百上千个)电子组件，例如晶体管。向这些电子组件供应的电力由一个或小数目个电源(例如，电压源)提供，且通过导电层及层间连接(例如，通孔)被分配到集成电路内部的各个部分。电力分配路径会引起电力损耗或压降(有时被称为“电压降(IRdrop)”),此会使可供用于电性组件的电压(在有些上下文中被称为“轨条电压 (railvoltage)”、“Vss”、或“VDD”)降低。这种损耗对集成电路性能及电源效率具有不利影

响。

发明内容

[0003]本发明实施例的一种制作集成电路装置的方法包括：通过接收第一层导电接点中的第一导电接点部分的位置及第二层导电接点中的第二导电接点部分的位置、对所述第一导电接点部分与所述第二导电接点部分进行电内连的第一通孔的位置及第一大小以及集成电路组件的功能群组的选择及位置来接收集成电路装置的第一设计；基于预定准则来确定能够对所述第一设计进行修改；通过使用具有更大横截面积的经修改通孔或总横截面积比所述第一通孔大的多个通孔替代所述第一通孔来修改所述集成电路装置的所述第一设计；以及确认经修改的所述第一设计符合预定的一组设计规则。

附图说明

[0004]结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本公开的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

[0005]