CN109273417A 封装结构、集成扇出型封装及其制作方法 （台湾积体电路制造股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN109273417A

(43)申请公布日2019.01.25

(21)申请号201710716656.7HO1L21/56(2006.01)

(22)申请日2017.08.21

(30)优先权数据

15/652,2472017.07.18US

(71)申请人台湾积体电路制造股份有限公司

地址中国台湾新竹科学工业园区新竹市力

行六路八号

(72)发明人郑礼辉林俊成蔡柏豪

(74)专利代理机构南京正联知识产权代理有限公司32243

代理人顾伯兴

(51)Int.CI.

H01L23/31(2006.01)

H01L23/535(2006.01)

H01L21/60(2006.01)

权利要求书1页说明书11页附图21页

(54)发明名称

封装结构、集成扇出型封装及其制作方法

(57)摘要

CN109273417A提供一种封装结构，所述封装结构包括集成扇出型封装及多个导电端子。所述集成扇出型封装包括：集成电路组件；多个导电穿孔；绝缘包封体，具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面；以及重布线路结构。所述绝缘包封体在侧向上包封所述导电穿孔及所述集成电路组件。所述导电穿孔中的每一者包括突出部分，所述突出部分被所述绝缘包封体显露出。所述重布线路结构电连接到所述集成电路组件且覆盖所述绝缘包封体的所述第一表面及所述集成电路组件。所述导电端子设置在所述导电穿孔的所述突出部分上并电连接到所述导电穿孔的所述突出部分，

CN109273417A

CN109273417A权利要求书1/1页

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1.一种集成扇出型封装，其特征在于，包括：

集成电路组件；

多个导电穿孔；

绝缘包封体，具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面；以及

重布线路结构，所述绝缘包封体在侧向上包封所述导电穿孔及所述集成电路组件，所述导电穿孔中的每一者包括突出部分，所述突出部分被所述绝缘包封体显露出，所述重布线路结构电连接到所述集成电路组件且覆盖所述绝缘包封体的所述第一表面及所述集成电路组件。

CN109273417A说明书1/11页

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封装结构、集成扇出型封装及其制作方法

技术领域

[0001]本发明实施例涉及一种封装结构、集成扇出型封装及其制作方法。

背景技术

[0002]由于各种电子组件(即，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的持续提高，半导体行业已经历快速增长。在很大程度上，集成密度的此种提高来自于最小特征大小(minimumfeaturesize)的重复减小，此使得更多较小的组件能够集成到给定区域中。这些较小的电子组件也需要与先前的封装相比利用较小区域的较小的封装。半导体组件的某些较小类型的封装包括方形扁平封装(quadflatpackage,QFP)、引脚栅阵列(pingridarray,PGA)封装、球栅阵列(ballgridarray,BGA)封装等等。

[0003]目前，开发出一些包括集成扇出型封装及堆叠在集成扇出型封装之上的至少一个存储装置的叠层封装(package-on-package,POP)结构，且这些叠层封装结构因其紧凑性而变得越来越受欢迎。在当前可获得的POP结构中，在集成扇出型封装与存储装置之间的接合处可发生脱层(delamination)问题。如何消除在集成扇出型封装与存储装置之间的接合处发生的脱层问题受到高度关注。

发明内容

[0004]根据本发明的一些实施例，提供一种集成扇出型封装。所述集成扇出型封装包括：集成电路组件；多个导电穿孔；绝缘包封体，具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面；以及重布线路结构。所述绝缘包封体在侧向上包封所述导电穿孔及所述集成电路组件。所述导电穿孔中的每一者包括突出部分，所述突出部分被所述绝缘包封体显露出。所述重布线路结构电连接到所述集成电路组件且覆盖所述绝缘包