CN109166791A 一种自对准混合键合结构及其制作方法 （上海集成电路研发中心有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN109166791A

(43)申请公布日2019.01.08

(21)申请号201810808996.7

(22)申请日2018.07.23

(71)申请人上海集成电路研发中心有限公司地址201210上海市浦东新区张江高斯路

497号

(72)发明人葛星晨

(74)专利代理机构上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275

代理人吴世华马盼

(51)Int.CI.

H01L21/18(2006.01)

权利要求书2页说明书6页附图4页

(54)发明名称

一种自对准混合键合结构及其制作方法

(57)摘要

CN109166791A本发明公开了一种自对准混合键合结构，包括具有梯形金属结构的自对准结构I和具有倒梯形凹槽Ⅲ的自对准结构Ⅱ;所述自对准结构I包括金属互连结构I、位于金属互连结构I上方的介质层以及梯形金属结构，自对准结构I中的介质层包括位于金属互连层上方的凹槽I,所述梯形金属结构位于所述凹槽的上方；所述自对准结构Ⅱ包括金属互连结构Ⅱ以及位于金属互连结构Ⅱ上的介质层，自对准结构Ⅱ中的介质层包括位于金属互连层上方的倒梯形凹槽Ⅲ,所述倒梯形凹槽Ⅲ贯穿上述介质层，且侧壁和底部依次沉积扩散阻挡层和金属层。本发明提供的一种自对准

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CN109166791A权利要求书1/2页

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1.一种自对准混合键合结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

S01:在完全相同的金属互连结构I和金属互连结构Ⅱ的上表面沉积介质层并平坦化该介质层，其中，所述金属互连结构I和金属互连结构Ⅱ包括互连介质层以及镶嵌在该互连介质层中的金属互连层，且所述金属互连层的上表面与所述互连介质层的上表面齐平；

S02:对金属互连结构I进行处理，形成具有梯形金属结构的自对准结构I,具体包括：

S021:对金属互连结构I上表面的介质层进行光刻刻蚀，在该介质层中形成位于金属互连层上方的凹槽I,所述凹槽I贯穿所述介质层，且所述凹槽I的水平截面面积小于所述金属互连层的水平截面；

S022:在介质层上表面以及凹槽I的侧壁和底部沉积扩散阻挡层；

S023:在介质层上旋涂光刻胶，并对光刻胶进行处理，在两个凹槽I之间的介质层上形成倒梯形光刻胶结构，所述倒梯形光刻胶结构的上表面面积大于其下表面面积，且上表面面积小于等于其两侧凹槽I之间的介质层面积；

S024:在倒梯形光刻胶结构之间的凹槽I及其上方进行金属填充，得到位于凹槽上方的梯形金属结构，所述梯形金属结构的下表面与光刻胶的下表面齐平，所述梯形金属结构的上表面低于或等于光刻胶的上表面；

S025:去除倒梯形光刻胶结构；

S026:去除梯形金属结构和凹槽I中金属以外的扩散阻挡层，形成具有梯形金属结构的自对准结构I;

S03:对金属互连结构Ⅱ进行处理，形成具有倒梯形凹槽Ⅲ的自对准结构Ⅱ,具体包括：

S031:在金属互连结构Ⅱ中介质层表面进行沉积光刻胶，并对光刻胶进行处理，形成正梯形光刻胶结构，两个正梯形光刻胶结构之间为倒梯形凹槽Ⅱ,所述倒梯形凹槽Ⅱ位于所述金属互连结构Ⅱ中金属互连层的正上方，所述倒梯形凹槽Ⅱ的上表面面积大于其下表面面积，且上表面面积小于等于金属互连层的面积；

S032:通过正梯形光刻胶结构对其下层介质层进行刻蚀，使得该介质层具有与上述正梯形光刻胶结构相同的形状，此时，所述介质层包括正梯形介质层以及倒梯形凹槽Ⅲ;

S033:在刻蚀后的介质层上依次沉积扩散阻挡层和金属层，并去除倒梯形凹槽Ⅲ之外的扩散阻挡层和金属层，形成具有倒梯形凹槽Ⅲ的自对准结构Ⅱ,填充扩散阻挡层和金属层之后的倒梯形凹槽Ⅲ与金属互连结构I中的梯形金属结构能够密切键合；

S04:对上述处理之后的自对准结构I和自对准结构Ⅱ施加压力，进行键合，其中，自对准结构I中的梯形金属结构与自对准结构Ⅱ中的倒梯形凹槽Ⅲ进行自对准。

2.根据权利要求1所述的一种自对准混合键合结构的制作方法，其特征在于，所述互连介质层材料为低介电常数材料。

3.根据权利要求1所述的一种自对准混合键合结构的制作方法，其特征在于，所述金属互连层为铜或铝或钨。

4.根据权利要求1所述的一种自对准混合键合结构的制作方法，其特征在于，所述步骤S01中介质层为SiO?、SiN、BD、SiCN、苯并环丁