CN108962882A 一种紫外发光二极管封装结构、制作方法及杀菌装置 （深圳世元吉科技发展有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN108962882A

(43)申请公布日2018.12.07

(21)申请号201810723310.4

(22)申请日2018.07.04

(71)申请人深圳世元吉科技发展有限公司

地址518000广东省深圳市龙岗区龙岗街

道龙岗大道4004号草根创业园B栋3楼

D区15号

(72)发明人朱行春

(74)专利代理机构深圳中一联合知识产权代理有限公司44414

代理人张全文

(51)Int.CI.

HO1L25/075(2006.01)

HO1L33/48(2010.01)

A61L2/10(2006.01)

A61L9/20(2006.01)

权利要求书2页说明书7页附图7页

(54)发明名称

一种紫外发光二极管封装结构、制作方法及杀菌装置

(57)摘要

CN108962882A本发明提供了一种紫外发光二极管封装结构、制作方法及杀菌装置，该封装结构包括基板、阵列分布于基板上的多个紫外发光二极管、设于基板上且与紫外发光二极管电连接的驱动芯片、以及覆盖于紫外发光二极管和驱动芯片上的阵列保护层，各个紫外发光二极管的波长均在100nm至400nm之间。本发明提供的紫外发光二极管封装结构，通过在基板上阵列分布多个紫外发光二极管，提升了被照射面照度的均匀性，且各个紫外发光二极管的波长均在100nm至400nm之间，使用波长搭配达到最佳灭菌效果，此外，基板上设置多个紫外发光二极管，可减小单个紫外发

CN108962882A

CN108962882A权利要求书1/2页

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1.一种紫外发光二极管封装结构，其特征在于：包括基板、阵列分布于所述基板上的多个紫外发光二极管、设于所述基板上且与所述紫外发光二极管电连接的驱动芯片、以及覆盖于所述紫外发光二极管和所述驱动芯片上的阵列保护层，各个所述紫外发光二极管的波长均在100nm至400nm之间。

2.如权利要求1所述的紫外发光二极管封装结构，其特征在于：所述紫外发光二极管包括依次层叠设置的N型电极键合层、N型电流扩散层、有源发光单元、P型电流扩散层单元及P型电极键合层，所述P型电极键合层与所述驱动芯片电连接，所述N型电极键合层接地。

3.如权利要求2所述的紫外发光二极管封装结构，其特征在于：所述阵列保护层和所述N型电极键合层之间还设有与所述N形电极键合层导电的导电层，所述导电层和所述P型电极键合层之间还设有用于防止短路的绝缘层。

4.如权利要求1所述的紫外发光二极管封装结构，其特征在于：所述基座内设有用于驱动所述紫外发光二极管的数据驱动器和扫描驱动器、电源端、以及接地端，所述数据驱动器、所述扫描驱动器、所述电源端以及所述接地端均与所述驱动芯片电连接。

5.如权利要求1所述的紫外发光二极管封装结构，其特征在于：所述阵列保护层由高分子基材料和无机材料组成，所述高分子基材料为硅胶、硅树脂或者环氧树脂，所述无机材料为氧化铝、氮化铝或者二氧化硅。

6.如权利要求1至5任一项所述的紫外发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S10:制作用于承载和驱动紫外发光二极管的基板；

S20:制作紫外发光二极管；

S30:将各个紫外发光二极管采用静电吸附、范德华力吸附或磁力吸附的方式巨量依次转移至基板相应的位置并贴合于基板上，形成紫外发光二极管阵列；

S40:采用预成型工艺制作阵列保护层并采用表面贴装工艺完成对紫外发光二极管阵列的密封。

7.如权利要求6所述的紫外发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于，步骤S20包括以下步骤：

S201:在外延衬底层上依次形成N型缓冲层、N型电流扩散层、有源发光层以及P型电流扩散层；

S202:通过刻蚀部分P型电流扩散层及有源发光层，使对应地部分N型电流扩散层露出，并使P型电流扩散层形成多个P型电流扩散层单元、使有源发光层形成多个有源发光层单元；

S203:在各个P形电流扩散层单元的表面制作P形电极键合层，然后在P形电极键合层及N型电流扩散层的表面制作牺牲层，并在P形电极键合层表面的牺牲层上开设通孔；

S204:在牺牲层的表面依次形成转移固定层和转移衬底层，并将外延衬底层、N形缓冲层剥落，使N形电流扩散层露出，在N形电流扩散层上生长形成N型电极键合层。

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