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- 2026-02-13 发布于重庆
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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号CN109994417B
(45)授权公告日2019.08.27
(21)申请号201910459863.8
(22)申请日2019.05.30
(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN109994417A
(43)申请公布日2019.07.09
(51)Int.CI.
HO1L21/683(2006.01)
HO1L33/00(2010.01)
审查员武树杰
(73)专利权人南京中电熊猫平板显示科技有限
公司
地址210033江苏省南京市栖霞区南京液
晶谷天佑路7号
专利权人南京中电熊猫液晶显示科技有限
公司
南京华东电子信息科技股份有限
公司
(72)发明人安金鑫朱充沛张惟诚王俊星
张良玉高威
权利要求书1页说明书3页附图5页
(54)发明名称
一种静电转移头及其制作方法
(57)摘要
本发明提出一种静电转移头及其制作方法,属于MicroLED巨量转移的技术领域,包括基板、图案化的第一金属层和介电层,所述基板包括凹部和凸部,所述介电层包括与所述凹部对应的第一凹洞,所述第一金属层嵌入在基板中。本发明通过在基板或平坦层中嵌入金属,解决现有转移头出现的边缘凸起、匀胶均一性较差、边缘漏电导致吸力不足和工艺良率低的困扰,使巨量转移更好的完成的同时可以转移不同微元件且不受
CN109994417B阻
CN109994417B
CN109994417B权利要求书1/1页
2
1.一种静电转移头,包括基板、图案化的第一金属层和介电层,所述介电层为至少一层结构,所述基板包括交替设置的多个凹部和多个凸部,所述介电层包括与所述凹部对应的第一凹洞,其特征在于,所述静电转移头还包括位于基板和介电层之间的平坦层,所述平坦层包括与所述凹部对应的第二凹洞以及位于相邻两个第二凹洞之间的凹槽,所述第一金属层嵌入在平坦层的凹槽内。
2.根据权利要求1所述的静电转移头,其特征在于,所述介电层包括第一介电层和第二介电层,所述第一介电层位于第二介电层上,所述第二介电层覆盖所述第一金属层,所述第一介电层和第二介电层均包括与所述凹部相对应的第一凹洞。
3.一种静电转移头的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、在基板上形成阵列排布的凹槽;
S2、所述基板上形成第一金属层,所述第一金属层嵌入所述凹槽中;
S3、所述基板上依次形成介电层和图案化的第二金属层,并形成位于所述介电层上的第一凹洞和位于基板上的凹部;
S4、移除所述第二金属层,形成静电转移头。
4.根据权利要求3所述的制作方法,其特征在于,步骤S1进一步包括以下步骤:
S11、所述基板上形成图案化的光阻层;
S12、通过所述光阻层,刻蚀所述基板,在所述基板上形成阵列排布的凹槽。
5.根据权利要求4所述的制作方法,其特征在于,步骤S2进一步包括以下步骤:
S21、所述光阻层上覆盖一层金属层,所述金属层包括第一金属层和断裂金属层,所述第一金属层形成在所述凹槽中,且所述第一金属层的上表面与基板的上表面齐平,所述断裂金属层位于所述光阻层上,所述第一金属层与断裂金属层互不连接;
S22、移除所述光阻层以及位于所述光阻层上的断裂金属层。
6.根据权利要求5所述的制作方法,其特征在于,步骤S3进一步包括以下步骤:
S31、所述基板上形成介电层;
S32、所述介电层上形成图案化的第二金属层;
S33、所述第二金属层作为金属刻蚀阻挡层刻蚀所述介电层和基板,形成位于所述介电层上的第一凹洞和位于所述基板上的凹部。
7.一种静电转移头的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
S10、在基板上形成具有阵列排布的凹槽的平坦层;
S20、所述平坦层上形成第一金属层,所述第一金属层嵌入所述凹槽中;
S30、所述平坦层上依次形成介电层和图案化的第二金属层,并形成位于所述介电层上的第一凹洞、位于所述平坦层上的第二凹洞和位于所述基板上的凹部;
S40、移除所述第二金属层,形成静电转移头。
8.根据权利要求7所述的制作方法,其特征在于,步骤S10进一步包括以下步骤:
S110、所述基板上形成一层平坦层,在所述平坦层上形成图案化的光阻层;
S120、通过所述光阻层,刻蚀所述平坦层,在所述平坦层上形成阵列排布的凹槽。
9.根据权利要求3或7所述的制作方法,其特征在于,所述介电层为多层结构,所述介电层
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