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发光多孔硅复合材料制备工艺与性能优化研究

一、引言

1.1研究背景与意义

1.1.1研究背景

硅材料作为半导体领域的基石，凭借其丰富的储量、成熟的制备工艺以及稳定的物理化学性质，在现代科技中占据着举足轻重的地位。从早期的晶体管到如今高度集成的大规模集成电路，硅基半导体器件已广泛应用于计算机、通信、消费电子等众多领域，推动了信息技术的飞速发展。然而，传统硅材料属于间接带隙半导体，其发光效率极低，这一固有缺陷限制了它在光电器件中的应用，如发光二极管（LED）、激光二极管等。

1990年，英国皇家信号与雷达研究所的Canham首次报道了多孔硅在室温下的强烈荧光发射现象，这一发现打破了长期以