CN108767047B 具有微纳减反结构的InGaP-InGaAs-Ge三结太阳电池及制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN108767047B

(45)授权公告日2019.12.31

(21)申请号201810380972.6

(22)申请日2018.04.25

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN108767047A

(43)申请公布日2018.11.06

(73)专利权人西安电子科技大学

地址710065陕西省西安市雁塔区太白南

路2号

(72)发明人毕臻苏爱雪张春福陈大正张进成张金凤许晟瑞郝跃

(74)专利代理机构西安通大专利代理有限责任公司61200

代理人姚咏华

(51)Int.CI.

HO1L31/0725(2012.01)

HO1L31/074(2012.01)

HO1L31/054(2014.01)

HO1L31/18(2006.01)

(56)对比文件

US2011011983A1,2011.01.20,CN107302033A,2017.10.27,

CN101388419A,2009.03.18,CN10