CN110010635A 图像传感器及其制作方法 （上海集成电路研发中心有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN110010635A

(43)申请公布日2019.07.12

(21)申请号201910295129.2

(22)申请日2019.04.12

(71)申请人上海集成电路研发中心有限公司地址201210上海市浦东新区张江高科技

园区高斯路497号

(72)发明人朱建军武青青胡少坚

(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237

代理人郑星

(51)Int.CI.

H01L27/146(2006.01)

权利要求书1页说明书6页附图3页

(54)发明名称

CN110010635A

CN110010635A

(57)摘要

本发明提供了一种图像传感器及其制作方法，图像传感器，包括：衬底，所述衬底中形成有信号器件，所述衬底上设置有接触下电极层，所述接触下电极层与所述信号器件电连接；多孔非晶硅薄膜层，所述多孔非晶硅薄膜层设置在所述衬底上且覆盖所述接触下电极层，所述多孔非晶硅薄膜层包括非晶硅薄膜层、分布在所述非晶硅薄膜层中的若干孔，以及填充在若干所述孔中的量子点。本发明能有效检测红外波长，提高图像传感器的吸光率，图像传感器具有低暗电导，高开关比，高灵敏度，及更宽的响应光谱特性，且量子点填充率高，使图像传感器的质量更好。

306

CN110010635A权利要求书1/1页

2

1.一种图像传感器，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底中形成有信号器件，所述衬底上设置有接触下电极层，所述接触下电极层与所述信号器件电连接；

多孔非晶硅薄膜层，所述多孔非晶硅薄膜层设置在所述衬底上且覆盖所述接触下电极层，所述多孔非晶硅薄膜层包括非晶硅薄膜层、分布在所述非晶硅薄膜层中的若干孔，以及填充在若干所述孔中的量子点。

2.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述多孔非晶硅薄膜层的厚度为10nm~1000nm,所述多孔非晶硅薄膜层的孔隙率为60%～90%,每个所述孔的孔径范围为2nm~100nm,若干所述孔呈海绵网状，相邻的所述孔之间的间距小于等于2nm。

3.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述量子点的材料为PdS、CdS、CdSe、CuInS和InP中的任意一种或两种以上的组合。

4.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述量子点的半径范围为2nm～50nm,所述量子点响应红外波长的范围为900nm～3000nm。

5.如权利要求1至4任意一项所述的图像传感器，其特征在于，所述衬底上还形成有金属互连层，所述接触下电极层设置于所述金属互连层远离所述衬底的一侧表面，所述接触下电极层通过所述金属互连层与所述信号器件电连接，所述信号器件包括晶体管和/或电容。

6.如权利要求1至4任意一项所述的图像传感器，其特征在于，所述接触下电极层包括若干间隔设置的接触下电极，所述多孔非晶硅薄膜层包括若干间隔设置的多孔非晶硅薄膜单元，所述多孔非晶硅薄膜单元与所述接触下电极一一对应设置。

7.如权利要求6所述的图像传感器，其特征在于，每个所述多孔非晶硅薄膜单元上设置有导电上电极层，所述导电上电极层与所述接触下电极相对设置，每个所述多孔非晶硅薄膜单元的侧壁上设置有导电上电极层引线，所述导电上电极层引线与所述导电上电极层电连接。

8.一种图像传感器的制作方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底中形成有信号器件，所述衬底上设置有接触下电极层，所述接触下电极层与所述信号器件电连接；

形成多孔非晶硅薄膜层，所述多孔非晶硅薄膜层设置在所述衬底上且覆盖所述接触下电极层，所述多孔非晶硅薄膜层包括非晶硅薄膜层、分布在所述非晶硅薄膜层中的若干孔，以及填充在若干所述孔中的量子点。

9.如权利要求8所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，形成多孔非晶硅薄膜层的步骤包括：

形成非晶硅薄膜层，所述非晶硅薄膜层设置在所述衬底上且覆盖所述接触下电极层；

对所述非晶硅薄膜层进行多孔化处理，形成含若干孔的多孔非晶硅结构；

在若干所述孔中填充量子点。

10.如权利要求9所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，

采用化学气相沉积工艺沉积所述非晶硅薄膜层；

对所述非晶硅薄膜层进行电化学阳极多孔化处理，形成含若干孔的多孔非晶硅结构；采用有机金属化学气相沉积工艺沉积所述量子点以填充若干所述孔。

CN110010635A