CN108735832B 一种横向绝缘栅型光电导开关及其制作方法 （西安理工大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN108735832B公告日2020.09.25

(21)申请号201810524099.3

(22)申请日2018.05.28

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN108735832A

(43)申请公布日2018.11.02

(73)专利权人西安理工大学

地址710048陕西省西安市金花南路5号

(72)发明人王馨梅张丽妮曹瑞彬刘艳涛贾婉丽张超

(74)专利代理机构西安弘理专利事务所61214代理人王蕊转

(51)Int.CI.

H01L31/0232(2014.01)

H01L31/0352(2006.01)

H01L31/113(2006.01)

HO1L31/18(2006.01)

(56)对比文件

CN105826406A,2016.08.03

CN101826400A,2010.09.08

CN101313412A,2008.11.26

US2013/0328058A1,2013.12.12

审查员陈树华

权利要求书1页说明书6页附图3页

(54)发明名称

一种横向绝缘栅型光电导开关及其制作方法

(57)摘要

CN108735832B本发明公开了一种横向绝缘栅型光电导开关，包括半绝缘衬底，在半绝缘衬底的下表面上依次制作有重n型掺杂区II和阳极，在该半绝缘衬底的上方制作有电触发区域，电触发区域的上方制作有绝缘层，绝缘层的两端分别制作有阴极，阴极与电触发区域的上端接触，绝缘层的上表面中心处制作有栅极，在激光触发区域的激光入射侧的对侧安装有全反射镜。本发明还公开了上述光电导开关的制作方法。本发明提供的光电

CN108735832B

CN108735832B权利要求书1/1页

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1.一种横向绝缘栅型光电导开关，其特征在于：包括半绝缘衬底(8),在半绝缘衬底(8)的下表面上依次制作有重n型掺杂区II(9)和阳极(10),在该半绝缘衬底(8)的上方制作有电触发区域(11),电触发区域的上方制作有绝缘层(3),绝缘层(3)的两端分别制作有阴极(1),阴极(1)与电触发区域(11)的上端接触，绝缘层(3)的上表面中心处制作有栅极(2),在半绝缘衬底(8)的激光(12)入射侧的对侧安装有全反射镜(13),所述电触发区域(11)包括制作在半绝缘衬底(8)上表面的轻n型掺杂区(7),轻n型掺杂区(7)的上表面两端分别由下到上依次制作有重p型掺杂区(6)和轻p型掺杂区(5),重p型掺杂区(6)和轻p型掺杂区(5)的上表面制作有重n型掺杂区I(4),其中重n型掺杂区I(4)上方包括绝缘层(3)和阴极(1),轻p型掺杂区(5)上方包括绝缘层(3)和重n型掺杂区I(4),重p型掺杂区(6)上方为重n型掺杂区I(4)和阴极(1),轻n型掺杂区(7)上表面中部为绝缘层(3),所述栅极(2)与阴极(1)之间采用电隔离。

2.根据权利要求1所述的一种横向绝缘栅型光电导开关，其特征在于：所述重p型掺杂区(6)、轻p型掺杂区(5)、轻n型掺杂区(7)的浓度和厚度参数要确保轻n型掺杂区(7)和重p型掺杂区(6)、轻p型掺杂区(5)之间形成的反向pn结的空间电荷区随偏置电压的增大而先扩展到的半绝缘衬底(8)一侧，而不是先扩展到重n型掺杂区I(4)。

3.根据权利要求1所述的一种横向绝缘栅型光电导开关，其特征在于：所述轻n型掺杂区(7)和重p型掺杂区(6)、轻p型掺杂区(5)之间形成的反向pn结的空间电荷区穿通电压阈值为光电导开关的额定直流偏置电压的0.01-0.5倍。

4.一种制作如权利要求1-3任一项所述的光电导开关的方法，其特征在于：具体包括如下步骤：

步骤1,在半绝缘衬底(8)上外延生长轻n型掺杂区(7);

步骤2,在外延轻n型掺杂区(7)的上表面，通过光刻开窗形成重p型掺

杂区(6);

步骤3,在外延轻n型掺杂区(7)的上表面，通过光刻开窗形成轻p型掺

杂区(5);

步骤4,在轻p型掺杂区(5)和重p型掺杂区(6)的上表面，通过光刻开窗形成重n型掺杂区I(4),使得重n型掺杂区I(4)、轻p型掺杂区(5)、重p型掺杂区(6)和轻n型掺杂区(7)形成n型导电沟道的MISFET结构；

步骤5,在轻n型掺杂区(7)、轻p型掺杂区(5)及重n型掺杂区I(4)上