多晶硅铸锭脱模的纳米氮化硅.pdfVIP

1）纳米氮化硅脱模原理

多晶硅和单晶硅生产时，在原料熔化、晶体生长过程中，硅熔体和坩埚长时间接触会产生黏

滞性。由于两种材料的热膨胀系数不同，如果硅材料和坩埚壁结合紧密，在晶体冷却时很可

能造成晶体硅或坩埚破裂。而硅熔体和坩埚的长时间接触还会造成陶瓷坩埚的腐蚀，使多晶

硅中的氧浓度升高。

为了解决这些问题，国外工艺上一般采用高纯氮化硅材料作为涂层附在坩埚的内壁，隔离硅

熔体和坩埚的直接接触，不仅解决了黏滞问题，而且可以降低多晶硅中的氧、炭等杂质浓度。

利用定向凝固技术生长的铸造多晶硅，多数情况下坩埚是消耗品，不能重复循环使用，即每

炉多晶硅都需要消耗一只陶瓷坩埚。采用氮化硅涂层后可使石英陶瓷坩埚得到重复使用，大

幅度降低生产成本。

我公司根据多晶硅和单晶硅生产工艺特点，与中科院、清华大学合作，开发出石英坩埚专用

脱膜剂-高纯度氮化硅及相关喷涂工艺。高纯氮化硅脱模剂粒度在1-2微米之间，可以有效地

解决在涂层高温固化过程中的氧化问题，使多晶硅和单晶硅的纯度获得大幅度提高，其粉末

的纯度可达99.99％以上,可用作光伏工业中熔炼多晶硅铸锭的石英坩埚涂层材料。可有效防

止坩埚内壁与熔融硅料粘接，方便脱模，同时起到阻隔层作用，保证硅锭纯度，产品已在江

西，福建，江苏，河南等多个厂家使用，具有优异的脱模性能，并且与纳米氮化硅或其他类

型脱模剂相比，具有优异的抗氧化性能，确保生产过程中碳、氧等杂质浓度获得有效控制。

产品纯度高，粒度均匀，性能上完全可与国外同类产品相比较，目前已实现批量化生产。因

此可以解决目前国内的石英坩埚涂层粉完全依赖日本UBE、德国Starck等进口，且有较大成

本优势。

2）技术参数

高纯氮化硅性能指标如下：

产品名称纯度比表面积平均粒度

Si3N499.99%20m2/g0.5-1um

高纯氮化硅纯度检测：

分析测试结果，w/%

杂质名称CuFeCrNiCoZn

杂质含量0.00010.00010.00010.00020.00010.0001

杂质名称AlMgCaVNaW

杂质含量0.00020.00010.00010.00010.0001

由于硅材料占太阳电池成本中的绝大部分，降低硅材料的成本是光伏应用的关键。浇铸多晶

硅技术是降低成本的重要途径之一，该技术省去了昂贵的单晶拉制过程，也能用较低纯度的

硅作投炉料，材料及电能消耗方面都较省。

（1）铸锭工艺

铸锭工艺主要有定向凝固法和浇铸法两种。定向凝固法是将硅料放在柑塌中加以熔融，

然后将柑塌从热场中逐渐下降或从增蜗底部通上冷源以造成一定的温度梯度，使固液界面从

柑蜗底部向上移动而形成晶锭。定向凝固法中有一种称为热交换法（HEM），在柑祸底部通入

气体冷源来形成温度梯度。浇铸法是将熔化后的硅液从增祸中倒入另一模具中凝固以形成晶

锭，铸出硅锭呈方形，切成的硅片一般尺寸为10cmXl0cm，平均晶粒尺寸从毫米到厘米。

铸锭法中需要解决的主要问题是：（1）盛硅容器的材质。国为硅熔体冷凝时会牢固地粘

附在柑祸的内壁，若两者的膨胀系数不同，硅固化时体积增加9％，会使硅锭产生裂纹或破

碎。此外，熔化硅几乎能与所有材料起化学反应，因而柑祸对硅料的污染必须控制在太阳级

硅所允许的限度以内。（2）晶体结构。用调整热场等方法控制晶体结构，以生长出大小适当

（数毫米）的具有单向性的晶粒，并尽量减少晶体中的缺陷，这样才有可能制成效率较高的

电池。

近年来，铸锭工艺主要朝大锭的方向发展。技术先进的公司生产的铸锭多在55cmX55cm

（锭重150kJ左右，目前65cmX65cm（锭重230kJ的方形硅锭也已被铸出，铸锭时间在3一

43h范围，切片前硅材料的实收率可达到83．8％。大型铸锭炉多采用中频加热，以适应大形

硅锭及工业化规模。与此同时，硅锭质量也得到明显的改进，经过工艺优化和柑蜗材质改进，

使缺陷及杂质、氧、碳含量减少。在晶体生长中固液界面的形状会影响晶粒结构的均匀性与

材料的电性能，一般而言，水平形状的固液界面较好。由于硅锭整体质量的提高，使硅锭的

可利用率得到明显提高。

由于铸锭中采用低成本的柑祸及脱模涂料，对硅锭的材质仍会造成影响。近年来电磁法

（EMC）被用来进行铸锭试验，方法是投炉硅料从上部连续加到熔融硅处，而熔融硅与无底的

冷柑涡通过电磁力保持接触，同时固化的硅被连续地向下拉。冷增涡用水冷的铜涡来形成。

目前该工艺已铸出截面为220mmX220mm的长硅锭，铸锭的材质纯度比常规硅锭高。生产性的

铸锭炉