CN110416335A 硅基近红外单光子雪崩二极管探测器及其制作方法 （南京邮电大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN110416335A

(43)申请公布日2019.11.05

(21)申请号201910715409.4

(22)申请日2019.08.05

(71)申请人南京邮电大学

地址210046江苏省南京市栖霞区文苑路9

号

(72)发明人徐跃孙飞阳

(74)专利代理机构南京苏高专利商标事务所(普通合伙)32204

代理人张华蒙

(51)Int.CI.

H01L31/0352(2006.01)

H01L31/028(2006.01)

H01L31/107(2006.01)

H01L31/18(2006.01)

权利要求书2页说明书5页附图3页

(54)发明名称

硅基近红外单光子雪崩二极管探测器及其制作方法

(57)摘要

CN110416335A本发明公开了硅基近红外单光子雪崩二极管探测器，属于光电探测技术领域，该单光子雪崩二极管探测器包括设置在P型衬底的上方的P型外延层，在P型衬底与P型外延层之间设置N+埋层区，在N+埋层区上对称设置深N阱区，在N+埋层区上的中心位置设置深P阱区，深P阱区与N+埋层区之间形成雪崩区。本发明的单光子雪崩二极管探测器在深P阱与N+埋层之间形成深的雪崩区，同时利用低掺杂且分布均匀的P型外延层作为虚拟保护环来提高近红外光子探测效率，缩小器件尺寸和减小暗计数噪声；本发明的制作方法可基

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CN110416335A权利要求书1/2页

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1.硅基近红外单光子雪崩二极管探测器，其特征在于：包括设置在P型衬底(1)的上方的P型外延层(3),在所述的P型衬底(1)与P型外延层(3)之间设置N+埋层区(2),在所述的N+埋层区(2)上对称设置深N阱区(5),在N+埋层区(2)上的中心位置设置深P阱区(4),所述的深P阱区(4)与N+埋层区(2)之间形成雪崩区。

2.根据权利要求1所述的硅基近红外单光子雪崩二极管探测器，其特征在于：所述的深P阱区(4)与两侧的深N阱区(5)间隔设置，在深P阱区(4)于深N阱区(5)之间保留P型外延层(3),作为虚拟保护环区域(16)。

3.根据权利要求1所述的硅基近红外单光子雪崩二极管探测器，其特征在于：所述的深P阱区(4)与深N阱区(5)的上下端面平齐。

4.根据权利要求1所述的硅基近红外单光子雪崩二极管探测器，其特征在于：在所述的深P阱区(4)中间位置设置中心浅P阱区(6),在所述的中心浅P阱区(6)中间位置设置中心P+区(9)。

5.根据权利要求4所述的硅基近红外单光子雪崩二极管探测器，其特征在于：在所述的深N阱区(5)中间位置均设置浅N阱区(7),在所述的浅N阱区(7)中间位置均设置N+区(10),在所述的N+区(10)的两侧均设置浅沟槽隔离区(14);在所述的深N阱区(5)的外侧均设置侧面浅P阱区(8);在所述的侧面浅P阱区(8)中间位置均设置侧面P+区(11)。

6.根据权利要求5所述的硅基近红外单光子雪崩二极管探测器，其特征在于：所述的中心浅P阱区(6)、浅N阱区(7)以及侧面浅P阱区(8)的上下端面平齐；所述的中心P+区(9)、N+区(10)以及侧面P+区(11)的上下端面平齐；所述的浅沟槽隔离区(14)的上端面与中心P+区

(9)、N+区(10)以及侧面P+区(11)的上端面平齐；所述的浅沟槽隔离区(14的下端面深于中心P+区(9)、N+区(10)以及侧面P+区(11)的下端面。

7.根据权利要求5所述的硅基近红外单光子雪崩二极管探测器，其特征在于：在所述的中心P+区(9)上端引出阳极(12);在所述的侧面P+区(11)上端引出接地电极(15);在所述的N+区(10)上端引出阴极(13)。

8.权利要求1-7中任意一项所述的工作在近红外波段的硅基单光子雪崩二极管探测器的制作方法，包括以下步骤：

1)在硅晶圆上离子注入P型杂质形成P型衬底(1);

2)在P型衬底(1)表面涂光刻胶，刻蚀掉N+埋层区(2)所在位置的光刻胶后离子注入N型杂质形成N+埋层区(2),并去除表面光刻胶；

3)在所述的P型衬底(1)上向上外延含有P型杂质的半导体层形成P型外延层(3),再进行高温退火，推进N+埋