CN110534537A 一种cmos图像传感器像素结构及其制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN110534537A

(43)申请公布日2019.12.03

(21)申请号201910816107.6

(22)申请日2019.08.30

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人杨翠彭国良陈育良毛维张建奇

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心

61205

代理人王品华

(51)Int.CI.

H01L27/146(2006.01)

权利要求书3页说明书12页附图4页

(54)发明名称

一种CMOS图像传感器像素结构及其制作方法

(57)摘要

CN110534537A本发明公开了一种CMOS图像传感器像素结构及其制作方法，主要解决现有技术信号采集速度慢、信号电荷回流和电荷转移效率低的问题，其包括：衬底(1)、外延层(2)、浅沟槽隔离层(3)、栅氧化层(4)、多晶硅栅(5)和钝化层(6),衬底的下面淀积有漏极(11),外延层的右上角淀积有源极(10),多晶硅栅的上面淀积有泵栅电极(8)和传输栅电极(9),且设有电荷存储区(21)、光电响应区域(22)和阈值电压调整区(23),泵栅电极和传输栅电极的上面淀积有像素互联金属(7)。本发明提升了光电信号电荷的采集速度和电荷转移效率，改善了三维深度成像雷达系统的探测精

CN110534537A

像素互联金属7←

像素互联金属7←

泵栅电极8←

源极10←

钳位层221

势垒调整222

P型沟道调整区232

P型阱区223

外延层2

浮空扩散节点213

村底1

光电二极管区224N型沟道调整区231

倾斜注入2241

非倾斜注入2242预存储节点保护隔离212

钝化层6

多品硅栅5

栅氧化层4

浅沟槽隔离3

CN110534537A权利要求书1/3页

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1.一种CMOS图像传感器像素结构，包括：衬底(1)、外延层(2)、浅沟槽隔离层(3)、栅氧化层(4)、多晶硅栅(5)、钝化层(6),衬底(1)的下面淀积有漏极(11),外延层(2)的右上角淀积有源极(10),多晶硅栅(5)的上面淀积有泵栅电极(8)和传输栅电极(9),泵栅电极(8)和传输栅电极(9)的上面淀积有像素互联金属(7),并在外延层(2)上设有电荷存储区(21)、光电响应区域(22)和阈值电压调整区(23),其特征在于：

所述的电荷存储区(21),由预存储节点(211)、预存储节点保护隔离(212)和浮空扩散节点(213)构成，且预存储节点(211)在预存储节点保护隔离(212)的上部；

所述的光电响应区域(22),由钳位层(221)、势垒调整层(222)、P型阱区(223)和光电二极管的N型区(224)构成，且钳位层(221)在势垒调整层(222)的上部，P型阱区(223)在光电二极管的N型区(224)的两侧；

所述的阈值电压调整区(23),由N型沟道调整层(231)和P型沟道调整层(232)构成，且N型沟道调整层(231)在P型沟道调整层(232)的左侧；

所述的多晶硅栅(5),由泵栅(51)和传输栅(52)构成，且泵栅(51)位于P型沟道调整层(232)的上部，传输栅(52)位于N型沟道调整层(231)的上部。

2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，预存储节点(211)的杂质浓度x与预存储节点保护隔离(212)的杂质浓度y之间的关系：y=|3×10131n(x)-9×1014|,且杂质浓度范围为1×1011x5×101?,杂质浓度单位：cm?3。

3.根据权利要求1所述的结构，其特征在于：

所述钳位层(221)的结深a为0.1μm～0.2μm;

所述光电二极管的N型区(224)的结深b为1.0μm～2.0μm。

4.根据权利要求1所述的结构，其特征在于：

所述泵栅(51)的长度c为0.8μm～2.0μm,厚度d为0.2μm～0.3μm;

所述传输栅(52)的长度e为0.4μm～1.0μm,厚度f为0.2μm～0.3μm。

5.根据权利要求1所述的结构，其特征在于：

所述P型阱区(223),由浮空扩散节点保护隔离层(2231)、传输栅阈值调整层(2232)和P型阱(2233)三部分构成，该浮空扩散节点保护隔离层(2231)位于传输栅阈值调整层(2232)的上部，该传输栅阈值调整层(223