CN1508844A 半导体器件的制作方法，半导体器件以及电子产品.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局[51]Int.Cl?

H01L21/00

[12]发明专利申请公开说明书

[21]申请号200310120685.5

[43]公开日2004年6月30日[11]公开号CN1508844A

[22]申请日2003.12.18

[21]申请号200310120685.5

[30]优先权

[32]2002.12.18[33]JP[31]366158/2002

[71]申请人株式会社半导体能源研究所地址日本神奈川县厚木市

山崎舜平高山彻丸山纯矢大野由美子田中幸一郎

[72]发明人

[74]专利代理机构中国专利代理(香港)有限公司代理人程天正王勇

权利要求书4页说明书29页附图15页

[54]发明名称半导体器件的制作方法，半导体器件以及电子产品

[57]摘要

本发明的目的是在不实施造成裂缝以及研磨痕迹的背面研磨处理的情况下，提供一种封装以及其制作方法，该封装可以使芯片飞跃性地变薄，而且可以制作出低成本并且高产量的芯片，还可以抑制芯片厚度的不均匀。本发明用连续振荡的激光晶化形成在作为支撑物发挥作用的衬底上的膜的厚度等于或少于500nm的半导体薄膜，然后用该晶化过的半导体膜形成芯片，该芯片具有总膜厚为5μm,优选等于或少于2μm的薄膜的半导体元件。并且，在最后衬底被剥离的状态下，该芯片被安装到内插板。

知识产权出版社出版

200310120685.5权利要求书第1/4页

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1.一种半导体器件的制作方法，它包括以下步骤：

在第一衬底上形成半导体膜；

对所述半导体膜辐照第一激光以及第二激光，并使被双方辐照的5区域重叠从而晶化所述半导体膜；

用所述晶化过的半导体膜形成半导体元件；

在所述半导体元件上粘合第二衬底；

从所述半导体元件去除所述第一衬底；

在所述半导体元件上粘合内插板；以及

10从所述半导体元件去除所述第二衬底。

2.一种半导体器件的制作方法，它包括以下步骤：

在第一衬底上形成半导体膜；

对所述半导体膜辐照第一激光以及第二激光，并使被双方辐照的区域重叠从而晶化所述半导体膜；

15用所述晶化过的半导体膜形成半导体元件；

在所述半导体元件上粘合第二衬底；

从所述半导体元件去除所述第一衬底；

在所述半导体元件上粘合内插板；

从所述半导体元件去除所述第二衬底；以及

20电连接所述内插板和所述半导体元件。

3.一种半导体器件的制作方法，它包括以下步骤：

在第一衬底上形成半导体膜；

对所述半导体膜辐照第一激光以及第二激光，并使被双方辐照的区域重叠从而晶化所述半导体膜；

25用所述晶化过的半导体膜形成半导体元件；

在所述半导体元件上粘合第二衬底；

从所述半导体元件去除所述第一衬底；

电连接内插板到所述半导体元件；以及

从所述半导体元件去除所述第二衬底。

304.一种半导体器件的制作方法，它包括以下步骤：

在第一衬底的表面上形成半导体膜；

对所述半导体膜辐照第一激光以及第二激光，并使被双方辐照的

200310120685.5权利要求书第2/4页

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区域重叠从而晶化所述半导体膜；

用所述晶化过的半导体膜形成半导体元件；

在所述半导体元件上粘合第二衬底；

在所述第一衬底的背面粘合第三衬底；

5从所述半导体元件去除所述第一衬底和所述第三衬底；

粘合内插板到所述半导体元件；

从所述半导体元件去除所述第二衬底；以及

电连接所述内插板和所述半导体元件。

5.一种半导体器件的制作方法，它包括以下步骤：

10在第一衬底上形成半导体膜；

对所述半导体膜辐照第一激光以及第二激光，并使被双方辐照的区域重叠从而晶化所述半导体膜；

用所述晶化过的半导体膜形成多个半导体元件；

在所述多个半导体元件上粘合第二衬底；

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