CN1512640A 过电流保护元件及其制作方法 （聚鼎科技股份有限公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公开说明书

[21]申请号9

[51]Int.Cl?

H02H9/02H01C7/02H01C17/00

[43]公开日2004年7月14日[11]公开号CN1512640A

[22]申请日2002.12.31[21]申请9

[71]申请人聚鼎科技股份有限公司地址中国台湾

[72]发明人王绍裘马云晋朱复华

[74]专利代理机构永新专利商标代理有限公司代理人曲瑞

权利要求书2页说明书4页附图1页

[54]发明名称过电流保护元件及其制作方法

[57]摘要

本发明揭示一种过电流保护元件及其制作方法，该过电流保护元件是经由下列步骤制作而成的：(1)提供至少两个高分子电流感测层，该至少两个高分子电流感测层包含阻燃剂，且相邻的高分子电流感测层的转换温度相差至少5℃;(2)将该至少两个高分子电流感测层进行辐照；(3)将该至少二个高分子电流感测层进行退火；及(4)将第一电极箔及第二电极箔与该至少两个高分子电流感测层结合成一层叠结构。其中，该阻燃剂可由氢氧化镁及滑石等惰性材料组成，该至少两个高分子电流感测层可由钴60以小于50Mrads的剂量进行辐照，该至少两个高分子电流感测层可在100至120℃的温度下退火6至20小时。

知识产权出版社出版9权利要求书第1/2页

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1.一种过电流保护元件的制作方法，包含下列步骤：

提供至少两个高分子电流感测层，所述至少两个高分子电流感测层包含阻燃剂，且相邻的高分子电流感测层的转换温度相差至少5℃;

将所述至少两个高分子电流感测层进行辐照；

将所述至少两个高分子电流感测层进行退火；及

将第一电极箔和第二电极箔与所述至少两个高分子电流感测层结合而形成一层叠结构。

2.根据权利要求1所述的过电流保护元件的制作方法，其特征在于所述至少两个高分子电流感测层是经过小于50Mrads的剂量辐照的。

3.根据权利要求1所述的过电流保护元件的制作方法，其特征在于所述至少两个高分子电流感测层是经钴60辐照的。

4.根据权利要求1所述的过电流保护元件的制作方法，其特征在于所述阻燃剂包含氢氧化镁及滑石中之一。

5.根据权利要求1所述的过电流保护元件的制作方法，其特征在于所述至少两个高分子电流感测层是在100℃至120℃的温度下进行退火。

6.根据权利要求5所述的过电流保护元件的制作方法，其特征在于所述至少两个高分子电流感测层是经退火6至20小时的。

7.一种过电流保护元件，包含：

一第一电极箔；

至少两个高分子电流感测层，所述至少两个高分子电流感测层包含阻燃剂，且相邻的高分子电流感测层的转换温度相差至少5℃;及9权利要求书第2/2页

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一第二电极箔。

8.根据权利要求7所述的过电流保护元件，其特征在于所述至少两个高分子电流感测层是经由小于50Mrads的剂量辐照的。

9.根据权利要求7所述的过电流保护元件，其特征在于所述各高分子电流感测层可进行不同的剂量辐照。

10.根据权利要求7所述的过电流保护元件，其特征在于所述至少两个高分子电流感测层是在100至120℃的温度下进行退火。

11.根据权利要求7所述的过电流保护元件，其特征在于所述阻燃剂包含氢氧化镁及滑石中之一。9说明书第1/4页

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过电流保护元件及其制作方法

5技术领域

本发明关于一种过电流保护元件及其制作方法，特别是关于一种可承受高电压的过电流保护元件及其制作方法。

技术背景

随着目前便携式电子仪器例如手机、笔记本电脑、手提式摄影10机及个人数字助理器(PDA)等的广泛应用，为防止二次电池或电路元

件发生过电流(over-current)或是过高温(over-temperature)现象而造成短路，使用过