CN1474434A 一种硅纳米线的制作方法.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公开说明书

[21]申请号1

[51]Int.Cl?

H01L21/02

B82B3/00

[43]公开日2004年2月11日[11]公开号CN1474434A

[22]申请日2003.7.25[21]申请1

[71]申请人中国科学院上海微系统与信息技术研究所

地址200050上海市长宁区长宁路865号

[72]发明人王跃林李欣昕刘文平

[74]专利代理机构上海智信专利代理有限公司代理人潘振

权利要求书3页说明书7页附图3页

[54]发明名称一种硅纳米线的制作方法

[57]摘要

本发明涉及一种硅纳米线的制作方法，其特征在于利用硅的各向异性腐蚀在介质层上硅材料上加工或硅纳米线方法。所得纳米线的截面为等腰三角形，三角形底上的高等于介质层上的硅材料厚度，控制硅材料厚度，就可得到截面尺度为10-50nm的硅纳米线；且可通过氧化进一步减细以及还可对材料进行掺杂，以制作不同导电类型的纳米线。使用本发明制作的纳米硅线，可用于研究低维半导体性质，还可以做成传感器件，电子器件，甚至发光器件等。且可批量生产，所以应用前景广阔。

知识产权出版社出版1权利要求书第1/3页

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1.一种硅纳米线的制作方法，其特征在于利用硅自停止腐蚀工艺，在介质层上的硅材料上加工硅纳米线的方法。

2.按权利要求1所述的硅纳米线的制作方法，其特征在于具体制作工艺

(1)选择(100)晶向的介质层上单晶硅材料；

(2)在(1)所述的单晶材料上面形成掩膜层；

(3)利用各向异性腐蚀方法去掉未被保护的薄层硅；暴露出在各向异性腐蚀中腐蚀速率较慢的面；

(4)形成保护层，保护腐蚀后的硅表面孔；

(5)在掩膜层上开腐蚀孔，选择性地掏空下面的掩膜层，并利用各向异性腐蚀方法去掉薄层硅，留下介质层上硅纳米线。

3.按权利要求1或2所述的硅纳米线的制作方法，其特征在于所制作的硅纳米线截面为等腰三角形，三角形底上的高等于介质层上的硅材料厚度；控制硅材料厚度就可得到截面尺度为10-50nm的硅纳米线。

4.按权利要求2所述的硅纳米线的制作方法，其特征在于对纳米线进行氧化减细，即氧化掉纳米线外层的硅，再用稀释的氢氟酸去除氧化层，可得到更细的纳米线。

5.按权利要求2所述的硅纳米线的制作方法，其特征在于在步骤(2)

之前，选择性对材料进行掺杂，以制作不同导电类型的纳米线；掺杂1权利要求书第2/3页

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方式包括扩散或离子注入；掺杂的类型为硼或磷。

6.按权利要求2所述的硅纳米线的制作方法，其特征在于所述的(100)晶向的介质层上的硅或为绝缘体上的硅，或为蓝宝石上硅。

7.按权利要求2所述的硅纳米线的制作方法，其特征在于具体制作工艺：

(1)选取(100)晶向的SOI材料，绝缘体上的硅的厚度为100nm,清洗后氧化形成掩模层L1,氧化层的厚度约为50nm;

(2)刻氧化层；

(3)氢氧化钾溶液腐蚀绝缘体上的硅层，(111)面由于腐蚀速率极低而出现自停止；

(4)清洗后生长一层Si?N?;

(5)涂胶光刻，然后等离子体去除氮化硅，开出一个二氧化硅的窗口；

(6)用稀释的氢氟酸腐蚀二氧化硅。直到确定需要制作硅线的位置顶部已经没有二氧化硅；

(7)使用氢氧化钾溶液腐蚀绝缘体上的硅层，由于各向异性的腐蚀速率，(111)面出现自停止；与先前的(111)面夹成横截面为等腰三角形的三棱柱，等腰三角形的底上的高为50nm或小于50nm;选择不同厚度的SOI材料，或者在第1步改变氧化的时间和温度，就可以得到不同尺度的纳米硅线；

(8)热磷酸去除氮化硅；

(9)稀释的氢氟酸掏空纳米硅线底部的二氧化硅。

8.按权利要求2所述的硅纳米线的制作方法，其特征在于异体制作1权利要求书第3/3页

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