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场效应管工作原理

1.什么叫场效应管？

FET是Field-Effect-Transistor的缩写,即为场效应晶体管。一般的晶体

管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此

称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为

单极型晶体管。FET应用范围很广,但不能说现在普及的双极型晶体管都可以用

FET替代。然而，由于FET的特性与双极型晶体管的特性完全不同，能构成技术

性能非常好的电路。

2.场效应管的工作原理：

(a)JFET的概念图

(b)JFET的符号

图1(b)门极的箭头指向为p指向n方向，分别表示内向为n沟道JFET，外

向为p沟道JFET。图1(a)表示n沟道JFET的特性例。以此图为基础看看JFET

的电气特性的特点。

首先，门极-源极间电压以0V时考虑(VGS=0)。在此状态下漏极-源极间电

压VDS从0V增加，漏电流ID几乎与VDS成比例增加，将此区域称为非饱和区。

VDS达到某值以上漏电流ID的变化变小，几乎达到一定值。此时的ID称为饱

和漏电流(有时也称漏电流用IDSS表示。与此IDSS对应的VDS称为夹断电压

VP，此区域称为饱和区。其次在漏极-源极间加一定的电压VDS(例如0.8V)，

VGS值从0开始向负方向增加，ID的值从IDSS开始慢慢地减少，对某VGS值

ID=0。将此时的VGS称为门极-源极间遮断电压或者截止电压，用VGS(off)

示。n沟道JFET的情况则VGS(off)值带有负的符号,测量实际的JFET对应ID

=0的VGS因为很,在放大器使用的小信号JFET时,将达到ID=0.1-10μA的

VGS定义为VGS(off)的情况多些。关于JFET为什么表示这样的特性，用图

作以下简单的说明。

场效应管工作原理用一句话说，就是漏极-源极间流经沟道的I，用以门

D

极与沟道间的pn结形成的反偏的门极电压控制I。更正确地说，ID流经通路

D

的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的

缘故。在VGS=0的非饱和区域，图10.4.1(a)表示的过渡层的扩展因为不很大，

根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极

向源极有电流I流动。达到饱和区域如图10.4.2(a)所示，从门极向漏极扩展

D

的过度层将沟道的一部分构成型，I饱和。将这种状态称为夹断。这意味着

D

过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。在过渡层由于没有电子、空

穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时

漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移

电场拉去的高速电子通过过渡层。如图10.4.1(b)所示的那样，即便再增加

VDS，因漂移电场的强度几乎不变产生I的饱和现象。其次，如图10.4.2(c)

D

所示，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS(off)，此时过渡层大致成为覆盖全

区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电

场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。

3.场效应管的分类和结构:

场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管(JFET)因有两个PN结而

得名，绝缘栅型场效应管(JGFET)则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目前在

绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管(即金属-

氧化物-场效应管MOSFET)；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，

以及刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。按沟道