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[19]中华人民共和国国家知识产权局
[12]发明专利申请公开说明书
[21]申请号200510131199.2
[51]Int.Cl.
HO1L29/772(2006.01)
HO1L21/335(2006.01)
[43]公开日2006年8月16日[11]公开号CN1819264A
[22]申请日2005.12.30
[21]申请号200510131199.2
[71]申请人山东泉舜科技有限公司
地址250101山东省济南市高新区环境保护
科技园往南100米
[72]发明人李西勤赵仕忠
[74]专利代理机构山东济南齐鲁科技专利事务所有限公司
代理人宋永丽
权利要求书2页说明书4页附图2页
[54]发明名称
金刚石晶体管及其制作方法
[57]摘要
本发明提供一种金刚石晶体管及其制作方法,金刚石晶体管包括金属壳体,金属壳体内包覆金刚石体,金刚石体的表面上分别设置金制漏极S、铝制栅极G和金制源极D,金刚石体的表面上具有场效应层。它不需要在金刚石表面包覆薄膜,使其具有耐高温性能好的同时,导电性能好、功率大、频率高。
200510131199.2权利要求书第1/2页
2
1、金刚石晶体管,其特征在于:包括金属壳体(1),金属壳体(1)内包覆金刚石体(2),金刚石体(2)的表面上分别设置金制漏极S、铝制栅极G和金制源极D,金刚石体(2)的表面上具有场效应层。
2、根据权利要求1所述的金刚石晶体管,其特征在于:金刚石体(2)呈矩形,金刚石体(2)的厚度为0.5—3.5毫米。
3、根据权利要求1所述的金刚石晶体管,其特征在于:金刚石体(2)两侧表面上均分别设置金制漏极S、铝制栅极G和金制源极D。
4、根据权利要求1、2或3所述的金刚石晶体管,其特征在于:金刚石体(2)表面上的场效应层电阻极小,电流大,导电特性呈倾斜直线。
5、上述权利要求所述的金刚石晶体管的制作方法,其特征在于:其步骤如下:(1)、将金刚石体采用等离子设备在500-1500C高温下处理,处理
0.5-3.5小时,使金刚石体被处理的表面呈现场效应层;(2)、做出源极漏极和栅极电极图,根据电极图形制成正胶版;(3)、金刚石体表面清洗干净,进行第一次光刻,使金刚石体表面呈现源极和漏极;(4)、将金材设置到金刚石体上,使源极和漏极引出;(5)、进行第二次光刻,金刚石体表面呈现栅极;(6)、采用热蒸发将铝材粘合到金刚石体表面,栅极引出;(7)、键合引线,烘干;(8)、采用金属壳体进行封装。
6、根据权利要求5所述的金刚石晶体管的制作方法,其特征在于:场效应层的导电特性呈倾斜直线。
200510131199.2权利要求书第2/2页
3
7、根据权利要求5或6所述的金刚石晶体管的制作方法,其特征在于:电极图形为,栅极G设有第一矩形(4),第一矩形(4)与圆环(3)连接,圆环(3)内腔是源极D,源极D为圆形(5),栅极G圆环(3)的外围是开口式圆环(6),圆环(3)与栅极第一矩形(4)的对应处是第二矩形(7),开口式圆环(6)与圆环(3)之间设置第一间隙(8),圆环(3)与圆形(5)之间设置第二间隙(9)。
8、根据权利要求7所述的金刚石晶体管的制作方法,其特征在于:将金刚石体(2)采用等离子设备在700—1100C高温下处理。
9、根据权利要求8所述的金刚石晶体管的制作方法,其特征在于:将金刚石体(2)采用等离子设备在700—1100°C高温下处理,处理1-3小时,使金刚石体(2)被处理的表面呈现场效应层。
10、根据权利要求9所述的金刚石晶体管的制作方法,其特征在于:将金刚石体(2)采用等离子设备在800—1000C高温下处理。
200510131199.2说明书第1/4页
4
金刚石晶体管及其制作方法
技术领域
本发明涉及晶体管,是一种金刚石晶体管及其制作方法。
背景技术
目前世界范围内公认金刚石没有导电性,然而,由于它具有耐高温性能,本领域试图
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