CN1933193A 制作541纳米窄带通光电探测器的方法 （郭辉）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局[51]Int.Cl.

HO1L31/18(2006.01)

[12]发明专利申请公布说明书

[21]申请号200610032374.7

[43]公开日2007年3月21日[11]公开号CN1933193A

[22]申请日2006.10.9

[21]申请号200610032374.7

[71]申请人郭辉

地址102208北京市昌平区回龙观流星花园2区5栋7门202室

共同申请人江建国

[72]发明人郭辉江建国

[74]专利代理机构长沙市融智专利事务所代理人颜昌伟

权利要求书3页说明书7页附图3页

[54]发明名称

制作541纳米窄带通光电探测器的方法

[57]摘要

本发明公开了一种制作541纳米窄带通光电探测器的方法，包括以下步骤：将N型硅片外延片衬底送入氧化炉生长氧化层；注入硼离子；将硅片送入LPCVD炉中生长Si?N?层；光刻P区引线孔和压焊点窗口；蒸铝；铝反刻；合金；背面减薄蒸金；合金；划片；制作带ITO薄膜541纳米峰值波长窄带通滤光片：将带导电ITO薄膜滤光片与金属管帽欧姆接触、封装。按照本发明的方法制得的541纳米窄带通光电探测器具有光谱选择性优良、光电转换率高、暗电流极低、抗干扰能力强、环境适应性好的优点，而且工艺简单、材料容易获得，可以利用现有设备和技术批量化生产，完全能满足第五版人民币防伪检测推广使用的需要。

200610032374.7权利要求书第1/3页

2

1、一种制作541纳米窄带通光电探测器的方法，包括第一步、制作硅光电二极管芯片步骤：

(1)将N型硅片外延片衬底送入氧化炉生长氧化层；

(2)光刻P区窗口，注入硼离子，退火；

(3)将硅片送入LPCVD炉中生长Si?N?层；

(4)光刻P区引线孔和压焊点窗口；

(5)蒸铝；

(6)铝反刻；

(7)合金；

(10)背面减薄蒸金；

(11)合金；

(12)划片；

第二步、制作带ITO薄膜541纳米峰值波长窄带通滤光片步骤：

(1)将光学玻璃裁成圆片，进行抛光、滚圆、清洗、烘干后用夹具夹好；

(2)将夹具放置在工件中，在真空镀膜机中对圆片镀制541纳米波长窄带通光学膜系后，紧接着镀制导电ITO膜；

第三步、带导电ITO薄膜滤光片与金属管帽欧姆接触制作步骤：

(1)将低温银浆涂在顶部开口的金属管帽顶部边框内侧；

(2)将滤光片放入金属管帽顶部边框中轻压，放入时应将带ITO薄膜面与金属管帽顶部边框接触；

(3)送入恒温箱中加热，使带导电ITO薄膜滤光片与金属管座实现良好固化接触；

第四步、封装步骤：

(1)在与金属管帽配套的金属管座上涂低温银浆，安放硅光电二极管管芯，置于恒温箱中恒温加热，使硅光电二极管芯烧结在金属管座上；

200610032374.7权利要求书第2/3页

3

(2)将金丝压焊在管芯引线窗口的金属层和金属管座引线柱上；

(3)在金属管帽内放置一橡胶圈；

(4)用封帽机将金属管帽与管座进行封装。

2、根据权利要求1所述的制作541纳米波长窄带通光电探测器的方法，其特征在于：所述第一步(2)中用离子注入机对硅片进行硼离子注入，注入能量55～60KeV,注入剂量6E14～8E14/cm2,注入时间5～7分钟。

3、根据权利要求1所述的制作541纳米波长窄带通光电探测器的方法，其特征在于：所述第二步(2)中541纳米波长窄带通膜系结构为.5L(HL)

KH0.5L(H:Ti0?;L:SiO?),膜层数为40～60层，紧接着镀制2500～3000埃的导电ITO薄膜。

4、根据权利要求1所述的制作541纳米波长窄带通光电探测器的方法，其特征在于：所述第一步(3)中Si?N?层的厚度为250～350埃。

5、根据权利要求1所述的制作541纳米波长窄带通光电探测器的方法，其特征在于：所述第二步(2)中步骤为，将夹具放置在工件中，抽真空，待真空达到103~10?mmHg,将TiO?和SiO?膜料源交替加温到250～300℃,控制工件转速，使TiO