CN1985368A 混合外延支撑件及其制作方法 （S.O.I.探测硅绝缘技术公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公布说明书

[21]申请号200580023545.3

[51]Int.Cl.

HO1L21/762(2006.01)

C30B33/00(2006.01)C30B29/36(2006.01)

C30B29/40(2006.01)

[43]公开日2007年6月20日[11]公开号CN1985368A

[22]申请日2005.6.2

[21]申请号200580023545.3

[30]优先权

[32]2004.6.3[33]FR[31]0405992

[86]国际申请PCT/FR2005/0013532005.6.2

[87]国际公布WO2006/000691法2006.1.5

[85]进入国家阶段日期2007.1.12

[71]申请人S.0.I.探测硅绝缘技术公司地址法国贝尔宁

[72]发明人布鲁斯·福雪哈桑·拉雷什

[74]专利代理机构北京律盟知识产权代理有限责任

公司

代理人王允方刘国伟

权利要求书3页说明书7页附图3页

[54]发明名称

混合外延支撑件及其制作方法

[57]摘要

本发明涉及一种用于制作一外延支撑件的方法，其包括在一第一单晶导电碳化硅(SiC)或单晶氮化镓(GaN)衬底中形成一绝缘单晶碳化硅或一绝缘单晶氮化镓层。所述方法进一步包括将所述单晶碳化硅或氮化镓层转移至一由具有一不小于1.5W.cm?1.K-1的导热率的多晶硅陶瓷材料制成的第二衬底(4)上。所述方法能够制造尤其对于高频功率应用而言既经济又有效的电子组件。

200580023545.3权利要求书第1/3页

2

1、一种用于制作用于外延的支撑件的方法，其包括：

●在第一导电单晶碳化硅或氮化镓衬底中形成一层绝缘单晶碳化硅层或绝缘单晶氮化镓；

●将所述单晶碳化硅或氮化镓层转移至由具有1.5W.cm?1.K-1或更高的导热率的多晶陶瓷材料所形成的第二衬底上。

2、如权利要求1所述的方法，其中所述单晶碳化硅或氮化镓层是通过向所述第

一衬底中实施离子注入制作的。

3、如权利要求2所述的方法，其中所述离子注入由氢或稀有气体、或共同注入的氢与稀有气体组合的离子注入组成。

4、如权利要求1所述的方法，其中所述第二衬底为具有至少10?Ω.cm的电阻率的多晶碳化硅衬底。

5、如权利要求1所述的方法，其中所述第二衬底为绝缘的或具有至少10?Q.cm的电阻率的多晶氮化铝衬底。

6、如权利要求1所述的方法，其中所述单晶碳化硅或氮化镓层具有在10?Q.cm至10?Ω.cm范围内的电阻率。

7、如权利要求1所述的方法，其包括在所述第一及第二衬底中的至少一者上制作由绝缘材料形成的层。

8、如权利要求7所述的方法，其中每一层绝缘材料均具有在10nm至3μm范围内的厚度。

9、如权利要求1所述的方法，其中通过使所述第一衬底断裂来转移所述单晶碳化硅或氮化镓层。

10、如权利要求9所述的方法，其中使所述第一衬底沿脆弱的层或脆弱的平面断裂。

200580023545.3权利要求书第2/3页

3

11、如权利要求9所述的方法，其中使所述第一衬底在300℃至1100℃范围内的温度下断裂。

12、如权利要求1所述的方法，其中所述转移步骤包括通过分子键合来装配所述两个衬底。

13、如权利要求1所述的方法，其中所述转移步骤之前是一个或一个以上清洗步骤，所述清洗步骤选自：化学清洗、化学机械清洗、称作“UV-臭氧”清洗的清洗及等离子表面激活。

14、如权利要求1所述的方法，其中所述转移步骤之后是在900℃至1200℃范围内的温度下的退火步骤。

15、一种用于外延的支撑件，其包括：

●衬底，其由具有1.5W.cm?1K1或更高的导热率的多晶材料形成；及

·用于外延生长的层，其由绝缘单晶碳化硅或氮化镓形成。

16、如权利要求15所述的用于外延的支撑件，其中所述衬底由多晶碳化硅形成。

17、如权利要求15所述的用于外延的支撑件，其中所述衬底由多晶氮化铝形成。

18、如权利要求15至17中任一权利要求所述的用于外延的支撑件，其进一步包括在所述多晶衬底与所述单晶碳化硅或氮