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高压厚膜SOI-LIGBT器件的关键技术优化与性能提升研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代工业飞速发展的背景下，电力电子技术已成为各个领域不可或缺的关键支撑。从日常的智能家电，到新能源交通工具，再到智能机器人等高端领域，都离不开电力电子技术的支持。在电力电子系统中，功率半导体器件扮演着核心角色，而绝缘栅双极型晶体管（IGBT）作为一种重要的功率半导体器件，凭借其控制能力强、互导电阻小、开关速度快等优点，成为了众多电力转换和控制应用的首选。

在高压应用领域，基于厚膜绝缘体上硅（SOI）的高压横向IGBT（SOI-LIGBT）器件由于具有低导通电压、高开关速度以及便于实现高低压集成等独特优势，成为了当前高压IGBT研究的热点方向。厚膜SOI工艺具有寄生参数小、隔离性能好的特点，这使得基于该工艺的SOI-LIGBT器件在实现高低压兼容集成方面具有天然的优势，能够满足现代电力电子系统对小型化、集成化和高性能的需求。

在智能电网中，需要高效的电力转换和控制设备来实现电能的稳定传输和分配，SOI-LIGBT器件可以应用于高压直流输电、柔性交流输电等关键环节，提高电力系统的效率和稳定性；在新能源汽车领域，车辆的驱动系统和充电系统对功率器件的性能要求极高，SOI-LIGBT器件的低导通电压和高开关速度能够有效提升新能源汽车的续航里程和充电速度；在航空航天领域，对电子设备的体积、重量和可靠性有着严格的限制，厚膜SOI基高压横向IGBT器件的小尺寸和高可靠性使其成为航空航天电力系统的理想选择。

然而，尽管SOI-LIGBT器件展现出了巨大的应用潜力，但目前仍面临着诸多挑战和问题。在实际应用中，温度和载流子注入所造成的退化现象严重影响了器件的性能和可靠性。高温环境下，器件的参数会发生漂移，导致其导通电阻增加、开关速度下降，甚至可能引发器件的失效；载流子注入则可能导致器件内部的电场分布不均匀，进而影响器件的关断特性和短路承受能力。此外，随着对器件性能要求的不断提高，如何进一步提升SOI-LIGBT器件的电流密度、优化其关断特性和短路鲁棒性，也是亟待解决的关键问题。这些问题的存在，不仅限制了SOI-LIGBT器件的广泛应用，也制约了相关电力电子系统性能的提升。

因此，对厚膜SOI基高压横向IGBT器件进行深入研究具有重要的现实意义。通过研究其热载流子退化机理及寿命模型，可以为器件的设计和优化提供理论依据，有效提高器件的性能和可靠性，延长其使用寿命；对器件的关断特性、短路鲁棒性以及电流密度提升技术等方面的研究，能够进一步挖掘器件的潜力，使其更好地满足不同应用场景的需求，推动电力电子技术在各个领域的创新发展，为实现高效、可靠、绿色的能源转换和利用提供有力支撑。

1.2国内外研究现状

在国外，对厚膜SOI基高压横向IGBT器件的研究起步较早，取得了一系列具有重要影响力的成果。一些欧美和日本的科研团队与企业，借助先进的材料制备技术和器件设计理念，深入探究了SOI-LIGBT器件的关断特性。他们通过优化器件的结构参数，包括漂移区的长度、厚度以及掺杂浓度等，来降低关断过程中的电流拖尾现象，提高关断速度。在互连线技术研究方面，国外致力于开发新型的绝缘材料和布线结构，以减少互连线对器件性能的负面影响，如采用多层金属布线和低介电常数的绝缘材料，有效降低了互连线的寄生电容和电阻，提高了信号传输的速度和稳定性。在短路特性研究上，国外的研究主要聚焦于提升器件的短路承受能力和可靠性。通过改进栅极控制技术和优化器件的内部电场分布，如采用双栅极结构和场限环技术，使得器件在短路情况下能够更好地维持自身的稳定性，延长短路承受时间。对于电流能力提升技术，国外研究人员提出了多种创新的方法，如多沟道结构和U型沟道技术等，通过增加载流子的注入路径和优化载流子的传输方式，显著提高了器件的电流密度。

国内在厚膜SOI基高压横向IGBT器件的研究方面也取得了长足的进步。众多高校和科研机构积极投身于相关研究，在关断特性研究中，国内学者通过理论分析和数值模拟，深入剖析了关断过程中载流子的复合和抽取机制，提出了一些针对性的优化策略，如在漂移区引入复合中心，加速载流子的复合，从而缩短关断时间。在互连线技术上，国内研发出了具有自主知识产权的屏蔽结构和绝缘工艺，有效解决了高压互连线导致击穿电压下降的问题，提高了器件的耐压性能。针对短路特性，国内研究团队通过实验和仿真相结合的方式，研究了短路电流的分布和热效应，开发出了新型的散热结构和保护电路，增强了器件的短路鲁棒性。在电流能力提升技术方面，国内提出了一些独特的结构设计和工艺改进方法，如改进型的U型沟道技术，在提高电流密度的同时，兼顾了器件的闩锁性能和击穿电压。