CN100524848C 包括光提取改型的发光二极管及其制作方法 （克里公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利说专利号ZL7

[45]授权公告日2009年8月5日

[51]Int.Cl.

HO1L33/00(2006.01)

明书

[11]授权公告号CN100524848C

[22]申请日2002.2.1[21]申请7

[30]优先权

[32]2001.2.1[33]US[31]60/265,707

[32]2001.7.23[33]US[31]60/307,235

[86]国际申请PCT/US2002/0028492002.2.1

[87]国际公布WO2002/061847英2002.8.8

[85]进入国家阶段日期2003.7.31

[73]专利权人克里公司地址美国北卡罗来纳州

[72]发明人D·B·小斯拉特R·C·格拉斯C·M·斯沃波达B·凯勒

J·伊贝特森B·蒂贝奥尔特E·J·塔萨

[56]参考文献

US5779924A1998.7.14

US6015719A2000.1.18

J1986.5.28J1999.7.13审查员陶应磊

[74]专利代理机构中国专利代理(香港)有限公司代理人吴立明王忠忠