02238 模拟、数字及电力电子技术 重点精简速记版.docxVIP

02238模拟、数字及电力电子技术重点精简速记版

一、模拟电子技术（核心模块一）

1.半导体二极管

核心特性：单向导电性，正向导通、反向截止

伏安特性：

正向区：硅管导通压降≈0.7V，锗管≈0.3V

反向区：截止，漏电流很小

反向击穿区：齐纳击穿、雪崩击穿，稳压管工作在此区

主要应用：整流、限幅、钳位、稳压（稳压二极管）

2.双极型三极管（BJT）

三个工作区：截止区、放大区、饱和区

放大区：发射结正偏，集电结反偏，IC?=βIB?

截止区：两结均反偏，IC?≈0

饱和区：两结均正偏，UCE?≈UCE(sat)?≈0.3V

电流关系：IE?=IB?+IC?，β=IB?IC??（电流放大系数）

基本放大电路组态：共射、共集、共基

共射：电压电流均放大，反相，应用最广

共集（射极输出器）：电压跟随、电流放大，输入电阻高、输出电阻低，作缓冲/级联

3.场效应管（FET）

分为结型FET与绝缘栅型MOSFET（增强型/耗尽型）

特点：电压控制电流，输入电阻极高，功耗小，抗干扰能力较强

工作区域：可变电阻区、恒流区、截止区、击穿区

4.放大电路分析

直流通路：求静态工作点Q（IBQ?,ICQ?,UCEQ?）

交流通路/微变等效电路：求电压放大倍数Au?、输入电阻ri?、输出电阻ro?

失真类型：

截止失真：Q点过低，NPN共射输出波形顶部削平

饱和失真：