CN100583458C 像素结构、薄膜晶体管及其制作方法 （友达光电股份有限公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利说明书

专利号ZL200710193362.7

[51]Int.Cl.

HO1L29/786(2006.01)

HO1L29/417(2006.01)HO1L27/12(2006.01)HO1L21/336(2006.01)HO1L21/28(2006.01)

HO1L21/84(2006.01)

[45]授权公告日2010年1月20日[11]授权公告号CN100583458C

[51]Int.Cl.(续)

G02F1/1362(2006.01)

[22]申请日2007.12.10

[21]申请号200710193362.7

[73]专利权人友达光电股份有限公司地址台湾省新竹市

[72]发明人蔡东璋陈静茹

[56]参考文献

US2006/0262239A12006.11.23US2007/0212807A12007.9.13

US2004/0245523A12004.12.9审查员赵致民

[74]专利代理机构北京三友知识产权代理有限公

司

代理人任默闻

权利要求书4页说明书11页附图11页

[54]发明名称

像素结构、薄膜晶体管及其制作方法

[57]摘要

本发明是关于一种像素结构、薄膜晶体管及其制作方法，薄膜晶体管适于配置在一基板上，包括一栅极、一栅绝缘层、一环状源极、一漏极以及一半导体层。栅极配置于基板上。栅绝缘层配置于基板上以覆盖栅极。环状源极配置于栅绝缘层上。漏极配置于栅绝缘层上，且漏极为环状源极所环绕。半导体层配置于栅极上方，其中半导体层至少覆盖位于环状源极与漏极之间的栅绝缘层；所述的半导体层包括：一通道层；以及一欧姆接触层，配置于所述的通道层与所述的环状源极之间以及所述的通道层与所述的漏极之间。具有上述薄膜晶体管结构的像素电极被驱动时，其具有较低的耗电量。

200

200710193362.7权利要求书第1/4页

2

1.一种薄膜晶体管，适于配置在一基板上，其特征在于，所述的薄膜晶体管包括：

一栅极，配置于所述的基板上；

一栅绝缘层，配置于所述的基板上以覆盖所述的栅极；

一环状源极，配置于所述的栅绝缘层上；

一漏极，配置于所述的栅绝缘层上，且所述的漏极为所述的环状源极所环绕；以及

一半导体层，配置于所述的栅极上方，其中所述的半导体层至少覆盖位于所述的环状源极与所述的漏极之间的所述的栅绝缘层；

所述的半导体层包括：一通道层；以及一欧姆接触层，配置于所述的通道层与所述的环状源极之间以及所述的通道层与所述的漏极之间。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述的栅极的形状为圆形或椭圆形。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述的环状源极的一外轮廓为圆形或椭圆形。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述的漏极的形状为矩形、圆形或椭圆形。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述的半导体层的形状为圆形或椭圆形。

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述的半导体层更覆盖所述的环状源极的部分区域以及所述的漏极的部分区域。

7.一种像素结构，适于配置在一基板上，其特征在于，所述的像素结构包括：

一薄膜晶体管，包括：

200710193362.7权利要求书第2/4页

3

一栅极，配置于所述的基板上；

一栅绝缘层，配置于所述的基板上以覆盖所述的栅极；

一环状源极，配置于所述的栅绝缘层上；

一漏极，配置于所述的栅绝缘层上，且所述的漏极为所述的环状源极所环绕；

一半导体层，配置于所述的栅极上方，其中所述的半导体层至少覆盖位于所述的环状源极与所述的漏极之间的所述的栅绝缘层；以及

一像素电极，与所述的漏极电性连接；

所述的半导体层包括：一通道层；以及一欧姆接触层，配置于所述的通道层与所述的环状源极之间以及所述的通道层与所述的漏极之间。

8.如权利要求7所述的像素结构，其特征在于，所述的栅极的形状为圆形或椭圆形。

9.如权利要求7所述的像素结构，其特征在于，所述的环状源极的一外轮廓为圆形或椭圆形。

10.如权利要求7所述的像素结构，