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半导体硅片研发工程师考试试卷及答案

一、填空题（10题，每题1分）

1.硅晶体的基本晶格结构是______。

2.硅片电阻率的常用单位是______（符号为Ω·cm）。

3.直拉法生长硅单晶的英文缩写是______。

4.尚未大规模商用量产的硅片直径规格是______。

5.硅片表面常用氧化层的化学式是______。

6.硅片n型掺杂的常用元素是______（元素符号）。

7.工业主流硅外延生长方法是______（缩写）。

8.硅片常见体缺陷类型是______。

9.硅片清洗常用强氧化剂是______（化学式）。

10.硅片金属污染控制的核心是______。

二、单项选择题（10题，每题2分）