CN101359664B Bcd工艺中的n型ldmos器件及其版图制作方法和制造方法 （上海贝岭股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN101359664B

(45)授权公告日2011.10.05

(21)申请号200710044405.5

(22)申请日2007.07.31

(73)专利权人上海贝岭股份有限公司地址200233上海市宜山路810号

专利权人上海集成电路研发中心有限公司

(72)发明人顾鹏程王炜

(74)专利代理机构北京金信立方知识产权代理有限公司11225

代理人黄威徐金伟

(51)Int.CI.

HO1L27/04(2006.01)

HO1L29/78(2006.01)

HO1L21/822(2006.01)

HO1L21/336(2006.01)

(56)对比文件

US2007/0045767A1,2007.03.01,

CN1319137C,2007.05.30,

CN1319137C,2007.05.30,

US2004/0224492A1,2004.11.11,

刘全旺.SOI阶梯掺杂LDMOS的设计与实验.《中国优秀硕士论文全文数据库电子期刊》.2006,

审查员黄金卫

权利要求书2页说明书8页附图13页

(54)发明名称

BCD工艺中