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半导体刻蚀工艺工程师考试试卷及答案

一、填空题（共10题，每题1分）

1.刻蚀工艺按是否使用等离子体可分为______刻蚀和湿法刻蚀。

2.干法刻蚀中，等离子体主要由电子、离子和______组成。

3.深硅刻蚀常用的工艺是______工艺。

4.氟基刻蚀气体主要用于刻蚀______（如SiO?、Si）等材料。

5.反应离子刻蚀（RIE）中，刻蚀的各向异性主要由______轰击引起。

6.湿法刻蚀SiO?常用的化学试剂是______溶液。

7.刻蚀工艺中，用于停止刻蚀的薄层材料称为______层。

8.刻蚀速率的常用测量方法有台阶仪测量和______测量。

9.氯基刻蚀气体主要用于刻蚀_____