CN101386985B 在透明电极上制作aao模板的方法及相应器件 （北京大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN101386985B

(45)授权公告日2010.09.08

(21)申请号200810224414.7

(22)申请日2008.10.14

(73)专利权人北京大学

地址100871北京市海淀区颐和园路5号北

京大学

(72)发明人肖立新段来强罗方闻陈志坚龚旗煌

(74)专利代理机构北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙)11200

代理人李稚婷

(51)Int.CI.

C23CC25DB82B

28/00(2006.01)11/04(2006.01)3/00(2006.01)

审查员赵妍妍

权利要求书1页说明书5页附图1页

(54)发明名称

在透明电极上制作AAO模板的方法及相应器件

(57)摘要

本发明公开了一种在透明电极上制作AAO模板的方法及相应的器件。先在透明电极上镀一层适当厚度的金属钛作为缓冲层，再在其上镀金属铝层，然后以酸性溶液为电解液进行阳极氧化电解，从而在透明电极上制作出AAO纳米多孔阵列结构模板，相应地得到一种透明电极和AAO模板复合器件。本发明中的钛缓冲层起到了很好的粘附和保护作用，在保证铝层不脱落且完全电解的情况下，很好地保护了透明电极层不被电解破坏，得到直通衬底的纳米多孔阵列结构。而且，在电解作用下，钛