CN101592627A 多通道高灵敏生物传感器的制作集成方法 （苏州纳米技术与纳米仿生研究所）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公布说明书

[21]申请号200910030342.7

[51]Int.Cl.

GO1N27/414(2006.01)

B81C1/00(2006.01)

HO1L21/336(2006.01)B82B3/00(2006.01)

B81C5/00(2006.01)

[43]公开日2009年12月2日[11]公开号CN101592627A

[22]申请日2009.3.19

[21]申请号200910030342.7

[71]申请人苏州纳米技术与纳米仿生研究所

地址215125江苏省苏州市工业园区独墅湖

高教区若水路398号

[72]发明人苏瑞巩张蓓蓓李宁程国胜

[74]专利代理机构南京苏科专利代理有限责任公司

代理人陈忠辉

权利要求书2页说明书13页附图5页

[54]发明名称

多通道高灵敏生物传感器的制作集成方法

[57]摘要

1本发明提供一种多通道高灵敏生物传感器的制作集成方法，首先基于SOI硅片采用自上而下方法制作硅纳米线FET场效应管；继而利用聚二甲基硅氧烷(PDMS)制作出多微流体通道；最后对不同微流体通道中的硅纳米线进行修饰改性，使之修饰上不同的检测抗体或小分子，以检测不同的目标分子。该方法制作的传感器可以用来同时检测不同类型的疾病相关因子(如DNA,RNA,蛋白等)或病毒，具有高灵敏度、稳定、易于集成等特点。

1

200910030342.7权利要求书第1/2页

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1.多通道高灵敏生物传感器的制作集成方法，其特征在于：包括以下步骤——

(一)基于SOI硅片采用自上而下方法制作硅纳米线FET场效应管；

(二)利用聚二甲基硅氧烷制作出多微流体通道；

(三)对不同微流体通道中的硅纳米线进行修饰改性，使之修饰上不同的检测抗体或小分子，以检测不同的目标分子。

2.根据权利要求1所述的多通道高灵敏生物传感器的制作集成方法，其特征在于：所述步骤(一)包含以下工序：

1)硅片清洗，硅片分别在7:3的浓硫酸与双氧水，1:3:7氨水与双氧水水溶液，1:2:8盐酸与双氧水水溶液中于60度加热10~15分钟，去除硅片表面所含的有机物和金属离子；

2)硅片减薄，先将硅片在氧化炉中用湿氧或者干氧氧化，再用氢氟酸缓冲液腐蚀去除二氧化硅，使硅片达到所需的厚度；

3)腐蚀掩膜生长，用PECVD或等离子体溅射方法在硅片上生长一层20~200纳米厚的二氧化硅或氮化硅薄膜；

4)背栅制作，先用背栅模版通过深紫外光刻的方法，再通过IBE干法刻蚀，在硅片上制作得到背栅图案；

5)硅纳米线制作，先用硅纳米线模版通过深紫外光刻的方法，再用IBE干法刻蚀，再用四甲基氢氧化铵溶液各向异性腐蚀硅，最后在5:1氢氟酸缓冲液中腐蚀去除二氧化硅，从而得到宽度在1~1000nm、高度在1~500nm的均一性良好的硅纳米线；

6)金属化，先用金属化模版通过深紫外光刻的方法，再通过剥离的方法，使硅片连线及栅极、源极和漏极金属化；

7)钝化，先用钝化模版通过深紫外光刻的方法，同用PECVD方法，

200910030342.7权利要求书第2/2页

3

在硅片表面除硅纳米线和栅、源、漏极外的地方都覆盖上一层钝化层。

3.根据权利要求1所述的多通道高灵敏生物传感器的制作集成方法，其特征在于：所述步骤(二)包含以下工序：

1)模版制作，先利用光刻的方法在硅片上制作得到微流通道模具；

2)浇筑模型，将PDMS预聚体倒在微流通道模具上，并放置24小时，使之完全聚合；

3)表面改性，将经过步骤(一)的晶片在氮气保护下，在氢氟酸缓冲液中腐蚀5秒，取出用超纯去离子水冲洗，氮气吹干，并烘干，将晶片浸泡在有机修饰溶液中，在紫外光照射下处理2小时；

4)转移，将聚合好的PDMS转移到经过表面改性处理后的晶片上，对准，键合。

4.根据权利要求1所述的多通道高灵敏生物传感器的制作集成方法，其特征在于：所述步骤(三)包含以下工序：

1)表面醛基化，将硅片放在1:15的戊二醛磷酸盐缓冲液混合液中，于摇床上反应一个小时；

2)结合蛋白，结合上待检测物质的相应抗体；

3)清