电子行业市场前景及投资研究报告：晶圆代工，存储代工需求放量，大陆本土逻辑代工景气度上行.pdfVIP

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行业评级推荐（维持）晶圆代工专题2：存储代工需求放量叠加产能

报告日期2026年02月27日转移，大陆本土逻辑代工景气度上行

投资要点：

⚫引言：AI加速存储需求爆发，存储行业开启新一轮上行周期，推动存储厂商产能扩张及

技术迭代，无论是NAND和DRAM的存储-逻辑双晶圆架构，还是HBM的BaseDie

的工艺升级，共同打开存储领域对逻辑代工的需求增量。本文将聚焦DRAM、NAND及

HBM三大核心产品，以及CoWoS中介层需求和成熟制程产能转移，测算大陆Fab逻

辑代工的增长潜力。

⚫DRAM：随着DRAM工艺制程逐步发展，其外围电路工艺从HKMG发展至FinFET。

据YOLE数据，行业目前正在推进CMOS键合阵列（CBA）技术研发与落地，泛林也

表示在4F²中CMOS部分将会与存储列阵以Bonding形式相结合，海力士也在推动此

类技术发展，CBA架构为存储密度的持续提升开辟新的技术路径。据我们测算，在

CMOS逻辑晶圆与DRAM晶圆1:1键合的模式下，DRAMCBA架构预计在2030年为

全球逻辑代工市场新增71万片/月产能需求，其中本土逻辑代工需求将达到49万片/

月。

⚫NAND：在3DNAND领域，国际市场长期以PNC、PUC架构为主流，而长江存储依

托独创的Xtacking架构实现技术突围。该架构可搭载更先进的逻辑工艺，进而大幅提

升NAND产品的性能。随着NAND外围电路要求逐步提高至HKMG，分离架构是一种

更好的选择，海外厂商正逐步跟进布局类似Xtacking的CBA架构，其中铠侠已率先将

CBA技术导入3DNAND量产产品线，据我们预计，在2030年NAND将会给逻辑晶

圆代工需求带来142.8万片/月的需求，其中本土厂商带来的需求为59万片/月。

⚫HBM及CoWoS：在HBM3E及之前的版本中，BaseDie均由存储厂商自主采用DRAM

制程完成制造，但是随着AI服务器性能不断增长，BaseDie要求也随之升级。我们预

计到2030年HBM将会带来的12寸晶圆产能需求大约为7万片/月，本土需求大约为

1.4万片/月。CoWoS需求持续火热，据我们预计，CoWoS中介层对12寸晶圆的需求

在2030年将会达到15.6万片/月，其中本土需求为3.9万片/月。

⚫产能转移：据TrendForce数据，受台积电、三星主动削减8英寸产能影响，2025年

全球8英寸产能同比下降约0.3