CN101692148A 一种全光二极管超透射器件及其制作方法 （北京大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN101692148A

(43)申请公布日2010.04.07

(21)申请号200910235522.9

(22)申请日2009.09.29

(71)申请人北京大学

地址100871北京市海淀区颐和园路5号北

京大学

(72)发明人胡小永张加祥辛诚龚旗煌

(74)专利代理机构北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙)11200

代理人俞达成

(51)Int.CI.

GO2F1/35(2006.01)

权利要求书1页说明书6页附图4页

(54)发明名称

一种全光二极管超透射器件及其制作方法

(57)摘要

本发明公开了一种全光二极管超透射器件及其制作方法，属于通信技术领域。本发明的超透射器件包括介质层I、介质层II和位于所述介质层I与所述介质层II之间的金属层；所述金属层中刻有周期性狭缝，所述介质层I、介质层IⅡ为非线性光学材料；本发明超透射器件的制作方法为：首先根据全光二极管的工作波长确定金属层狭缝周期，以及介质层I和介质层II的厚度；然后利用数值计算方法计算来获得所有参数的准确结果；最后依次在基底材料上制备介质层II、金属层、介质层I,其中金