CN108254031B 压差式气体微流量传感器及其制作方法 （上海工程技术大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN108254031B公告日2020.07.10

(21)申请号201711462917.3

(22)申请日2017.12.28

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN108254031A

(43)申请公布日2018.07.06

(73)专利权人上海工程技术大学

地址201620上海市松江区龙腾路333号

(72)发明人宋芳

(74)专利代理机构上海科盛知识产权代理有限公司31225

代理人林君如

(51)Int.CI.

审查员王琳

G01F1/36(2006.01)

G01F1/44(2006.01)

权利要求书3页说明书5页附图6页

(54)发明名称

压差式气体微流量传感器及其制作方法

(57)摘要

CN108254031B本发明涉及一种压差式气体微流量传感器，包括一单晶硅基片及集成于该单晶硅基片同一面上的一个气体微沟道及两个压力传感器；气体微沟道沿211晶向埋设于单晶硅基片内，由文丘里沟道段和连接在文丘里沟道段两端的匀速沟道段组成，文丘里沟道段由喉道和分别位于喉道两端的收缩段和扩散段组成，气体微沟道的两端设有气体出/入口；两个压力传感器分别通过取压通道与匀速沟道段和喉道连接。与现有技术相比，本发明将传统宏观的文丘里管引入到硅基MEMS

CN108254031B

CN108254031B权利要求书1/3页

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1.一种压差式气体微流量传感器，其特征在于，包括一单晶硅基片(5)及集成于该单晶硅基片(5)同一面上的一个气体微沟道及两个压力传感器(3);

所述的气体微沟道沿211晶向埋设于单晶硅基片(5)内，由文丘里沟道段(2)和连接在文丘里沟道段(2)两端的匀速沟道段(1)组成，文丘里沟道段(2)由喉道(22)和分别位于喉道(22)两端的收缩段(21)和扩散段(23)组成，气体微沟道的两端设有气体出/入口(4);

两个压力传感器(3)分别通过取压通道(8)与匀速沟道段(1)和喉道(22)连接；

所述的单晶硅基片(5)为(111)晶面的单晶硅基片；

所述的喉道(22)沿211晶向设置，且所述的喉道(22)侧壁与收缩段(21)倾斜面和扩散段(23)倾斜面的夹角均为150°;

所述的压差式气体微流量传感器的制作方法，包括以下步骤：

S1:提供具有至少一个抛光面的N型(111)单晶硅基片；

S2:采用DRIE法在一个抛光面上刻蚀三对两两之间相互平行且沿211晶向一字排布的限定槽(7),分别用来限定喉道(22)和两个匀速沟道段(1)的宽度和长度；

S3:采用DRIE法沿长度方向在限定槽(7)之间刻蚀一长矩形微型槽(9),以定义气体微沟道形貌；

S4:选择性刻蚀成型气体微沟道，并采用低应力多晶硅缝合长矩形微型槽(9);

S5:制作压力传感器P-检测电阻(32),然后采用DRIE法定义压力传感器微型释放孔

(10);

S6:选择性刻蚀释放压力敏感薄膜(33)和压力腔体(31)结构，同时释放取压通道(8),实现压力传感器(3)与气体微沟道的连接；

S7:制作引线互连，并刻蚀出气体出/入口(4);

步骤S2采用以下方法：

S21:热氧化形成SiO?层(11),然后采用DRIE法刻蚀三对两两之间相互平行且沿211晶向一字排布的限定槽(7);

S22:依次利用热氧化法和LPCVD法沉积TEOS和LPCVD低应力多晶硅；

S22:通过热氧化法将限定槽(7)填满，以限定喉道(22)和两个匀速沟道段(1)的宽度和长度；

步骤S3采用以下方法：

S31:在限定槽(7)中间采用DRIE法刻蚀一长度与气体微沟道长度相匹配且平行于限定槽(7)的长矩形微型槽(9);

S32:采用LPCVD法在长矩形微型槽(9)侧壁沉积TEOS层；

S33:采用RIE法刻蚀掉长矩形微型槽(9)底部的TEOS层，并保留长矩形微型槽(9)侧壁的TEOS层；

S34:采用DRIE法继续向下刻蚀长矩形微型槽(9)底部裸露的单晶硅，形成气体微沟道刻蚀间隙(12);

步骤S4采用以下方法：

S41:将单晶硅基片(5)放入各向异性腐蚀溶液TMAH溶液中，对气体微沟道刻蚀间隙(12)进行选择性腐蚀，释放形成文丘里沟道段和匀速沟道段；

S42:利用LPCVD低应力多晶硅