CN108346611B 静电吸盘及其制作方法与等离子体处理装置 （中微半导体设备(上海)股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN108346611B公告日2021.05.18

(21)申请号201710060003.8

(22)申请日2017.01.24

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN108346611A

(43)申请公布日2018.07.31

(73)专利权人中微半导体设备(上海)股份有限公司

地址201201上海市浦东新区金桥出口加

工区(南区)泰华路188号

(72)发明人贺小明陈星建郭盛段蛟倪图强尹志尧

(74)专利代理机构上海信好专利代理事务所(普通合伙)31249

代理人潘朱慧

(51)Int.CI.

H01L21/683(2006.01)

(56)对比文件

CN103794445A,2014.05.14

CN203055886U,2013.07.10CN104241183A,2014.12.24审查员詹斯琦

权利要求书2页说明书9页附图2页

(54)发明名称

静电吸盘及其制作方法与等离子体处理装置

20(57)摘要

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CN108346611B本发明提供一种静电吸盘及其制作方法以及可应用该静电吸盘的等离子体处理装置。其中，所述静电吸盘包括：基座；涂覆于所述基座上方的底部涂层，所述底部涂层至少包括两层涂层，该两层涂层具有不同的孔隙率；涂覆于所述底部涂层上方的电极层；涂覆于所述电极层上方

CN108346611B

CN108346611B权利要求书1/2页

2

1.一种静电吸盘，其特征在于，包括：

基座；

涂覆于所述基座上方的底部涂层，所述底部涂层包括第一涂层、第二涂层与第三涂层，其中，所述第一涂层涂覆于所述基座的上表面，所述第二涂层涂覆于第一涂层的上表面，所述第三涂层涂覆于所述第二涂层的上表面，所述第二涂层的孔隙率大于所述第一涂层、所述第三涂层的孔隙率；

涂覆于所述底部涂层上方的电极层；

涂覆于所述电极层上方的顶部涂层，所述顶部涂层中至少包括一个位于所述静电吸盘最外层的高致密耐等离子体刻蚀涂层，所述高致密耐等离子体刻蚀涂层的孔隙率为零，且所述高致密耐等离子体刻蚀涂层与电极层之间还设置另一涂层。

2.如权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，所述第二涂层的孔隙率大于8%,所述第一涂层、第三涂层的孔隙率小于5%。

3.一种静电吸盘，其特征在于，包括：基座；

涂覆于所述基座上方的底部涂层，所述底部涂层包括第一涂层、第二涂层与第三涂层，其中，所述第一涂层涂覆于所述基座的上表面，所述第二涂层涂覆于第一涂层的上表面，所述第三涂层涂覆于所述第二涂层的上表面，所述第一涂层的孔隙率大于所述第二涂层的孔隙率，所述第二涂层的孔隙率大于所述第三涂层的孔隙率；

涂覆于所述底部涂层上方的电极层；

涂覆于所述电极层上方的顶部涂层，所述顶部涂层中至少包括一个位于所述静电吸盘最外层的高致密耐等离子体刻蚀涂层，所述高致密耐等离子体刻蚀涂层的孔隙率为零，且所述高致密等离子体刻蚀涂层与电极层之间还设置另一涂层。

4.如权利要求3所述的静电吸盘，其特征在于，所述第一涂层的孔隙率大于10%,所述第二涂层的孔隙率在6%至8%区间，所述第三涂层的孔隙率小于5%。

5.如权利要求1或3所述的静电吸盘，其特征在于，所述第一、二、三涂层的材质相同或不同。

6.如权利要求1或3所述的静电吸盘，其特征在于，所述电极层为金属涂层。

7.如权利要求1或3所述的静电吸盘，其特征在于，所述高致密耐等离子体刻蚀涂层为无疏松、无裂纹缺陷的高致密陶瓷涂层。

8.如权利要求7所述的静电吸盘，其特征在于，所述高致密耐等离子体刻蚀涂层为高致密的等离子体增强物理气相沉积涂层。

9.如权利要求1或3所述的静电吸盘，其特征在于，所述顶部涂层包覆所述电极层、所述底部涂层与所述基座的侧面。

10.如权利要求1或3所述的静电吸盘，其特征在于，所述电极层和所述底部涂层的平坦度在100微米以内。

11.如权利要求10所述的静电吸盘，其特征在于，所述电极层和所述底部涂层的平坦度在20微米以内。

12.如权利要求1或3所述的静电吸盘，其特征在于，相邻层之间的平行度在100微米以内。

13.如权利要求12所述的静电吸盘，其特征在于，相邻层之间的平行度在20微米以内。

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