CN108227370B 光掩模及其制作方法 （台湾积体电路制造股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN108227370B(45)授权公告日2023.01.03

(21)申请号201710416885.7

(22)申请日2017.06.06

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN108227370A

(43)申请公布日2018.06.29

(30)优先权数据

62/434,2772016.12.14US15/481,0092017.04.06US

(73)专利权人台湾积体电路制造股份有限公司地址中国台湾新竹科学工业园区新竹市力

行六路八号

(72)发明人张浩铭赖建宏林政旻王宣文杨民安许盛昌魏绍琦朱远志

(74)专利代理机构南京正联知识产权代理有限公司32243

专利代理师顾伯兴

(51)Int.CI.

GO3F1/68(2012.01)

GO3F1/26(2012.01)

(56)对比文件

US2009246645A1,2009.10.01

US2008102379A1,2008.05.01

CN101968605A,2011.02.09

CN102569198A,2012.07.11

CN1577786A,2005.02.09

CN1653392A,2005.08.10

KR20090108886A,2009.10.19

审查员薛聪帆

权利要求书2页说明书10页附图6页

(54)发明名称

光掩模及其制作方法

(57)摘要

CN108227370B在透光性衬底之上沉积终点层210以含金属的掺杂对终点层进行植入220在终点层之上沉积移相器

CN108227370B

在透光性衬底之上沉积终点层210

以含金属的掺杂对终点层进行植入220

在终点层之上沉积移相器在终点层之上沉积不透明层

在移相器之上沉积硬掩模层在不透明层之上沉积硬掩模层240

236

使用第三刻蚀工艺将终点层图案化250

使用第一刻蚀工艺将移相器图案化

使用第二刻蚀工艺将不透明层图案化

246

230

CN108227370B权利要求书1/2页

2

1.一种制造光掩模的方法，其特征在于，包括：

在透光性衬底之上沉积终点层，其中所述终点层及所述透光性衬底对于预定波长是可透光的；

在所述终点层之上沉积移相器；

在所述移相器之上沉积不透明层；

在所述不透明层之上沉积硬掩模层；

移除所述硬掩模层的一部分、所述不透明层的一部分及所述移相器的第一部分，以暴露出所述终点层的一部分；

移除所述硬掩模层的剩余部分；以及

在移除所述硬掩模层的所述剩余部分后，修复所述移相器的第二部分。

2.根据权利要求1所述的制造光掩模的方法，其特征在于，所述沉积所述终点层包括：

沉积带隙能量等于或大于6电子伏特的材料。

3.根据权利要求1所述的制造光掩模的方法，其特征在于，所述沉积所述终点层包括：

沉积平均原子序数大于所述透光性衬底的平均原子序数的材料。

4.根据权利要求1所述的制造光掩模的方法，其特征在于，所述沉积所述终点层包括：

沉积平均原子序数小于所述透光性衬底的平均原子序数的材料。

5.根据权利要求1所述的制造光掩模的方法，其特征在于，所述沉积所述终点层包括：

将所述终点层沉积至具有等于或小于100埃的厚度。

6.根据权利要求1所述的制造光掩模的方法，其特征在于，所述移除所述硬掩模层的所述一部分及所述移相器的所述第一部分包括：

监测所述光掩模的背散射电子信号；以及

当有预定背散射电子信号产生时，传送停止信号。

7.根据权利要求1所述的制造光掩模的方法，其特征在于，进一步包括：

以含金属的掺杂剂对所述终点层进行植入。

8.根据权利要求7所述的制造光掩模的方法，其特征在于，进一步包括：

在所述对所述终点层进行植入后，在范围介于500摄氏度至900摄氏度的温度下对所述终点层进行退火。

9.根据权利要求1所述的制造光掩模的方法，其特征在于，进一步包括：

移除所述不透明层的另一部分，以暴露出所述移相器的第二部分。

10.根据权利要求1所述的制造光掩模的方法，其特征在于，其中修复所述移相器的所述第二部分包括使用含卤素的刻蚀剂。

11.一种制造光掩模版的方法，其特征在于，包括：

在透明衬底之上沉积终点层；

在所述