CN108231878B 一种双向沟槽栅电荷存储型igbt及其制作方法 （电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN108231878B公告日2020.06.30

(21)申请号201810113804.0

(22)申请日2018.02.05

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN108231878A

(43)申请公布日2018.06.29

(73)专利权人电子科技大学

地址610065四川省成都市高新区(西区)

西源大道2006号

(72)发明人张金平赵倩王康刘竞秀李泽宏张波

HO1L29/40(2006.01)

HO1L21/331(2006.01)

(56)对比文件

CN103794647A,2014.05.14,

CN105789290A,2016.07.20,

CN107623027A,2018.01.23,

CN105789289A,2016.07.20,

US2008017920A1,2008.01.24,US2014332845A1,2014.11.13,

审查员刘宁

(74)专利代理机构成都点睛专利代理事务所

(普通合伙)51232代理人葛启函

(51)Int.CI.

H01L29/739