CN108335982A 一种GaN基HEMT器件的制作方法 （北京华碳科技有限责任公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN108335982A

(43)申请公布日2018.07.27

(21)申请号201810025987.0

(22)申请日2018.01.11

(71)申请人北京华碳科技有限责任公司

地址100804北京市海淀区清华园内清华

大学学研综合楼B座B801-034

(72)发明人梁世博

(74)专利代理机构北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙)11200

代理人邱晓锋

(51)Int.CI.

HO1L21/335(2006.01)

HO1L21/266(2006.01)

权利要求书1页说明书3页附图1页

(54)发明名称

一种GaN基HEMT器件的制作方法

(57)摘要

CN108335982A本发明提出一种GaN基HEMT器件的制作方法，步骤包括：准备一衬底；在衬底上生长的AlN缓冲层；在A1N缓冲层上生长GaN沟道层；在GaN沟道层上生长AlGaN势垒层；在AlGaN势垒层上生长P型GaN帽层；在P型帽层上沉积SiN钝化层，并制作假栅电极电极；采用离子注入工艺注入形成高

CN108335982A

准备一村成

在衬放十生长AIN级冲层

在AIN缓冲层上生长GaN沟道层

在GaN沟道层上牛长AIKGaN势垒层

在AIGzN势单层上生长P季帽层

去除假栅电极、制作栅金属电板

在AIGaN层上形成源漏电极

二欲离子注天形成源版娜接触区域

离子注人制作弱P型托阻扩散层区域

沉积SIN饨化层，制作假栅电极

CN108335982A权利要求书1/1页

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1.一种GaN基HEMT器件的制作方法，步骤包括：

在一衬底上生长A1N缓冲层；

在A1N缓冲层上生长GaN沟道层；

在GaN沟道层上生长A1GaN势垒层；

在AlGaN势垒层上生长P型帽层；

在P型帽层上沉积SiN钝化层，并制作假栅电极；

在P型帽层和AlGaN层上，利用光刻胶和假栅电极为掩膜，采用离子注入工艺在栅源和栅漏之间的区域制作弱P型高阻扩散层区域；

再利用光刻胶为掩膜，采用离子注入工艺进行二次离子注入，形成源漏欧姆接触区域；通过掩膜刻孔的方法刻蚀掉SiN和P型帽层，在A1GaN层上形成源漏电极；

去除假栅电极，在假栅电极下面的P型帽层上制作栅金属电极。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底选择的材料包括SiC、GaN、蓝宝石。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用MOCVD方法生长所述A1N缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、P型帽层，其中，所述A1N缓冲层厚度为10-100nm,所述GaN沟道层厚度为150-2000nm。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述AlGaN势垒层为三元相化合物，厚度为10-100nm。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述P型帽层为P型GaN层或者InGaN层，厚度为70-150nm。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述P型帽层掺杂杂质为C或/和Mg,掺杂浓度为1×101?-5×101?cm?3。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述SiN钝化层采用PECVD方法沉积，温度为150-350℃,厚度为30-50nm。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，两次采用所述离子注入工艺所注入的离子为Si离子，能量为20-100KeV,剂量为2×101?-1×101?cm?2,退火激活的温度为1000-1300℃,时间为90-120s。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅金属电极选用的材料包括NiAu、W、TiAu、TiW,厚度为200-3000nm。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，制作所述栅金属电极的方法包括热蒸发方法、电子束蒸发方法、磁控溅射方法。

CN108335982A说明书1/3页

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一种GaN基HEMT器件的制作方法

技术领域

[0001]本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种GaN(氮化镓)基HEMT器件的制作方法。

背景技术

[0002]宽禁带半导体氮化镓材料以其具有禁带宽度大、临界击穿电场高、电子饱和速度高等特点，成为新一代半导体功率器