CN108227370A 光掩模及其制作方法 （台湾积体电路制造股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN108227370A

(43)申请公布日2018.06.29

(21)申请号201710416885.7

(22)申请日2017.06.06

(30)优先权数据

62/434,2772016.12.14US

15/481,0092017.04.06US

GO3F1/26(2012.01)

(71)申请人台湾积体电路制造股份有限公司

地址中国台湾新竹科学工业园区新竹市力

行六路八号

(72)发明人张浩铭赖建宏林政旻王宣文杨民安许盛昌魏绍琦朱远志

(74)专利代理机构南京正联知识产权代理有限公司32243

代理人顾伯兴

(51)Int.CI.

GO3F1/68(2012.01)

权利要求书1页说明书10页附图6页

(54)发明名称

光掩模及其制作方法

(57)摘要

CN108227370A一种制造光掩模的方法包括：在透光性衬底之上沉积终点层；在所述终点层之上沉积移相器；在所述移相器之上沉积硬掩模层；以及移除所述硬掩模层的一部分及所述移相器的第一部

CN108227370A

200

在湾此性狗欲之1演取终点层210

以青金容的杂就好点进行然人220

齐终点层之上汽和移相路在终点之沉中不造的岛

230234在移和器之和硬修模不不透树层之上沉桃械

驶用工艺将被开潮工艺将

柳相密图家化不选所宗案化

使第三刻工艺将终点层图案化250

240

CN108227370A权利要求书1/1页

2

1.一种制造光掩模的方法，其特征在于，包括：

在透光性衬底之上沉积终点层，其中所述终点层及所述透光性衬底对于预定波长是可透光的；

在所述终点层之上沉积移相器；

在所述移相器之上沉积硬掩模层；以及

移除所述硬掩模层的一部分及所述移相器的第一部分，以暴露出所述终点层的一部分。

CN108227370A说明书1/10页

3

光掩模及其制作方法

技术领域

[0001]本发明实施例是涉及一种光掩模及其制作方法。

背景技术

[0002]光刻(Photolithography)用于在半导体组件的制作过程中将图案转移至晶片上。基于各种集成电路(integratedcircuit,IC)布局，将光掩模的图案减小为2:1或4:1的因数以将所述图案转移至晶片的表面。光掩模(maskorreticle)是由一侧上沉积有一种或多种不可透光材料以阻挡光渗透的透光性衬底制成。随着尺寸的减小及IC晶片中的密度的增加，已开发出例如相移掩模(phase-shiftmask,PSM)、光学邻近修正(optical

proximitycorrection,OPC)、离轴照明(off-axisillumination,OAI)及双偶极光刻(doubledipolelithography,DDL)等分辨率增强技术来提高焦点深度(depthoffocus,DOF)及使得能够更精确地将图案转移至晶片上。

发明内容

[0003]本发明的实施例的一个方面涉及一种制造光掩模的方法。所述方法包括在透光性衬底之上沉积终点层。所述终点层及所述透光性衬底对于预定波长是可透光的；在所述终点层之上沉积移相器；在所述移相器之上沉积硬掩模层；以及移除所述硬掩模层的一部分及所述移相器的第一部分，以暴露出所述终点层的一部分。

附图说明

[0004]结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本发明的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

[0005]图1是根据一个或多个实施例的光掩模的剖视图。

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