CN108199256A 牢固倒封装微盘腔半导体激光器及其制作方法 （长春理工大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN108199256A

(43)申请公布日2018.06.22

(21)申请号201810024642.3

(22)申请日2018.01.11

(71)申请人长春理工大学

地址130022吉林省长春市朝阳区卫星路

7089号

(72)发明人晏长岭刘云史建伟冯源郝永芹李辉王佳彬

(74)专利代理机构长春菁华专利商标代理事务所(普通合伙)22210

代理人陶尊新

(51)Int.CI.

HO1S5/022(2006.01)

H01S5/024(2006.01)

权利要求书1页说明书3页附图4页

(54)发明名称

牢固倒封装微盘腔半导体激光器及其制作方法

(57)摘要

CN108199256A牢固倒封装微盘腔半导体激光器及其制作方法属于半导体激光器制造技术领域。现有倒封装技术不能直接用来解决微盘腔半导体激光器的散热问题。本发明之方法将发光发热区制作成彼此分立的支撑结构和微盘腔；在支撑结构上部的欧姆接触层上制作绝缘层；在微盘腔上部表面制作上电极，同时在绝缘层上表面也形成上电极金属材料层，在衬底的底部表面制作下电极；最后由一个焊接层同时将上电极、电极金属材料层与热沉焊接在一起。本发明之激光器中的彼此分立的支撑结构和微盘腔结构相同，自支撑结构上部的欧姆接触层起依次还有绝缘层、上电极金属材料层，一个焊接层一侧与热沉焊接，所述焊接

CN108199256A

CN108199256A权利要求书1/1页

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1.一种牢固倒封装微盘腔半导体激光器的制作方法，在衬底(6)上表面依次制作下波导层(5)、有源层(4)、上波导层(3)、欧姆接触层(2),形成发光发热区(10),其特征在于，采用光刻、刻蚀技术将所述发光发热区(10)制作成彼此分立的支撑结构(11)和微盘腔(12);在支撑结构(11)上部的欧姆接触层上制作绝缘层(13);在微盘腔(12)上部表面制作上电极(1),同时在绝缘层(13)上表面也形成上电极金属材料层(14),在衬底(6)的底部表面制作下电极(7);最后由一个焊接层(8)同时将上电极(1)、电极金属材料层(14)与热沉(9)焊接在一起。

2.根据权利要求1所述的牢固倒封装微盘腔半导体激光器的制作方法，以磁控溅射的方法制作绝缘层(13),绝缘层(13)的材料为SiO?或者Si?N?。

3.一种牢固倒封装微盘腔半导体激光器，自衬底(6)一侧起依次有下波导层(5)、有源层(4)、上波导层(3)、欧姆接触层(2)和上电极(1),下电极(7)位于衬底(6)另一侧，其特征在于，彼此分立的支撑结构(11)和微盘腔(12)各自均依次由所述下波导层(5)、有源层(4)、上波导层(3)、欧姆接触层(2)构成，自支撑结构(11)上部的欧姆接触层(2)起依次还有绝缘层(13)、上电极金属材料层(14),一个焊接层(8)一侧与热沉(9)焊接，所述焊接层(8)的另一侧分别与微盘腔(12)的上电极(1)、电极金属材料层(14)焊接。

4.根据权利要求3所述的牢固倒封装微盘腔半导体激光器，其特征在于，支撑结构(11)朝向微盘腔(12)的立面为平面或者柱面。

5.根据权利要求3所述的牢固倒封装微盘腔半导体激光器，其特征在于，绝缘层(13)的材料为SiO?或者Si?N4;上电极金属材料层(14)与上电极(1)材质相同。

CN108199256A说明书1/3页

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牢固倒封装微盘腔半导体激光器及其制作方法

技术领域

[0001]本发明涉及一种牢固倒封装微盘腔半导体激光器及其制作方法，属于半导体激光器制造技术领域。

背景技术

[0002]半导体激光器在工作时会产生很高的峰值功率，电光转换效率却只有40%~50%,也就是说所输入的电能50%～60%都转换为热能。在通电后半导体激光器有源层的温度迅速提高，容易引起激光器的光学灾变，甚至烧毁器件。所以，提升半导体激光器的散热能力不仅能够使半导体激光器长时间连续工作，还能够延长器件的使用寿命。对于高功率半导体激光器来说，更需要解决散热问题。在与此有关的现有技术中，倒封装技术是一项工艺简单又能有效提升散热能力的技术。

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