CN101840993A 一种具有交换偏置效应的多层膜结构及其制作方法 （北京科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN101840993A

(43)申请公布日2010.09.22

(21)申请号201010168882.4

(22)申请日2010.05.05

(71)申请人北京科技大学

地址100083北京市海淀区学院路30号

(72)发明人姜勇张德林苗君张欣

王义虎徐晓光李智党文龙

陈兴武

(74)专利代理机构北京东方汇众知识产权代理

事务所(普通合伙)11296代理人刘淑芬

(51)Int.CI.

HO1L43/08(2006.01)

HO1L43/10(2006.01)

HO1L43/12(2006.01)

权利要求书1页说明书3页附图1页

(54)发明名称

一种具有交换偏置效应的多层膜结构及其制作方法

(57)摘要

本发明属于磁电互控非易失存储技术领域，提供了一种新型的具有交换偏置效应的半金属/多铁材料多层膜结构，其具有大的交换偏置场，小的矫顽力，高的截止温度和优良的稳定性能。从底层往上第一层为多铁薄膜层，厚度约为20～200纳米；从底层往上第二层为半金属薄膜层，包括Co?FeA1、Co?FeSi、Co?MnSi、Co?CrA1、Co?(Cr1-Fe)Al[0x1]、Co?Fe(Al1-Si)[0x1]、

CN101840993A底层Co?(Fe??Mn)Si[0x1]等Co占据A位置的A?BC型full-Heusler

CN101840993A

底层

CN101840993A权利要求书1/1页

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1.一种具有交换偏置效应的多层膜结构，其特征在于，所述具体结构如下：

从底层往上第一层为多铁薄膜层，所述多铁薄膜层为单相多铁材料，或Ca、La、Mn、Mo、Y等掺杂BiFeO?、BiCrO?、TbMnO?、BiMnO?和YMnO?等单相多铁材料，或BiFeO?/CoFe?O?、BaTiO?/CoFe?O?、BaTiO?/NiFe?O4等磁电复合材料，厚度约为20～200纳米；

从底层往上第二层为半金属薄膜层，包括Co?FeAl、Co?FeSi、Co?MnSi、Co?CrA1、Co?(Cr??Fe)A1[0x1]、Co?Fe(A1?-Si)[0x1]、Co?(Fe?-Mn)Si[0x1]等

Co占据A位置的A?BC型full-Heusler合金材料，厚度约为2～20纳米；

从底层往上第三层为金属钽保护层，厚度约为3～10纳米。

2.根据权利要求1所述的一种具有交换偏置效应的多层膜结构，其特征在于：所述单相多铁材料可以是BiFeO?、GaFeO?、BiCrO?、TbMnO?、Bi?FeCr0?、BiMnO?、HoMn?0?、YMn?0?、RMn?0?(R=Ho,Yb,Sc,Y,Ga,Dy,Er)、RMnO?(R=Ho,Yb,Sc,Y,Ga,Dy,Er)等单相多铁材料。

3.制作权利要求1所述的多层膜结构的方法，所述方法如下：

3.1制作多铁性薄膜层：沉积室本底真空度为1×10-?Pa,溅射时氧气压为0.5Pa~2.5Pa,沉积温度为300℃~800℃,沉积时能量为100mJ～400mJ,脉冲数为400～3000脉冲，基底为SrTiO?(100)、Pt/TiO?/Si(111)等，退火温度为300℃~800℃,氧压为100Pa~300Pa,制备的多铁薄膜厚度为20nm～200nm;

3.2利用磁控溅射仪或分子束外延的方法制作半金属薄膜层和钽保护层，溅射室本底真空度为2×10??Pa,溅射时氩气压为0.2Pa～1.0Pa,基片用循环水冷却。

CN101840993A说明书1/3页

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一种具有交换偏置效应的多层膜结构及其制作方法

技术领域

[0001]本发明属于磁电互控非易失存储技术领域，提供了一种新型的具有交换偏置效应的半金属/多铁材料多层膜结构，其具有大的交换偏置场，小的矫顽力，高的截止温度和优良的稳定性能