CN101924101A 半导体无源器件的结构及其制作方法 （锐迪科科技有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN101924101A

(43)申请公布日2010.12.22

(21)申请号201010246239.9

(22)申请日2010.08.06

(71)申请人锐迪科科技有限公司

地址香港花园道1号中银大厦22楼

(72)发明人陈俊谢利刚

(74)专利代理机构上海浦一知识产权代理有限公司31211

代理人丁纪铁

(51)Int.CI.

HO1L27/01(2006.01)

HO1L21/70(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图6页

(54)发明名称

半导体无源器件的结构及其制作方法

(57)摘要

000本发明公开了一种半导体无源器件的结构，以高阻硅为衬底，在所述高阻硅衬底上设置有第一绝缘介质层，所述第一绝缘层上设置有导电层和其它绝缘介质层的交替结构，所述导电层至少有两层。本发明还公开了一种上述半导体无源器件的结构的制作方法，包括：在高阻硅衬底上采用低温工艺，以化学气相沉积或等离子体增强化学气相沉积的方法制作第一绝缘介质层；在第一绝缘介质层上交替制作导电层，以及同样采用低温工艺制作，以化学气相沉积或等离子体增强化学气相沉积的方法制作其它绝缘介质层。本发明采用了高阻硅作为衬底材料，并且在该衬底上的

000

CN101924101A第一绝缘介质层上直接设置无源器件，大大的降

CN101924101A

CN101924101A权利要求书1/1页

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1.一种半导体无源器件的结构，其特征在于，以高阻硅为衬底，在所述高阻硅衬底上设置有第一绝缘介质层，所述第一绝缘层上设置有导电层和其它绝缘介质层的交替结构，所述导电层至少有两层。

2.根据权利要求1所述的半导体无源器件的结构，其特征在于，直接将所述导电层引出，以形成半导体无源电容。

3.根据权利要求1所述的半导体无源器件的结构，其特征在于，在一层导电层上设置有条状金属的螺旋电感回路，所述电感回路中的交叉位置上，其中的一路穿透绝缘介质层，利用另一个金属层进行过渡。

4.根据权利要求1～3中任意一项所述的半导体无源器件的结构，其特征在于，所述高阻硅衬底的电阻率大于300ohm·cm。

5.根据权利要求1～3中任意一项所述的半导体无源器件的结构，其特征在于，所述第一绝缘介质层为二氧化硅介质层，所述第一绝缘介质层覆盖高阻硅衬底的上表面，第一绝缘介质层的厚度大于2000埃。

6.根据权利要求1～3中任意一项所述的半导体无源器件的结构，其特征在于，所述相邻与第一绝缘介质层的导电层贯穿所述第一绝缘介质层和高阻硅衬底，连接到高阻硅衬底底部的金属地。

7.根据权利要求1～3中任意一项所述的半导体无源器件的结构，其特征在于，所述导电层通过键合线连接到高阻硅衬底底部的金属地。

8.一种如权利要求1～7中任意一项所述的半导体无源器件的结构的制作方法，其特征在于，包括：

在高阻硅衬底上采用低温工艺，以化学气相沉积或等离子体增强化学气相沉积的方法制作第一绝缘介质层；

在第一绝缘介质层上交替制作导电层，以及同样采用低温工艺制作，以化学气相沉积或等离子体增强化学气相沉积的方法制作其它绝缘介质层。

9.根据权利要求8所述的半导体无源器件的结构的制作方法，其特征在于，制作所述绝缘介质层时所采用的低温工艺中的温度为150℃~450℃,所述第一绝缘介质层采用二氧化硅，其它绝缘介质层采用氮化硅。

10.根据权利要求8所述的半导体无源器件的结构的制作方法，其特征在于，在溅射制作导电层之后，还包括对导电层进行光刻和刻蚀的步骤。

CN101924101A说明书1/4页

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半导体无源器件的结构及其制作方法

技术领域

[0001]本发明涉及一种半导体的结构，尤其是一种半导体无源器件的结构。本发明还涉及一种半导体无源器件结构的制作方法。

背景技术

[0002]在过去很长一段时间，分立无源器件一直被应用在无线通信设备中，并采用SMT(表面贴装技术)贴装在各类电路板和基板上。然而，随着无线通信设备性能要求的不断增加，设备尺寸的不断减小，分立无源器件很难达