原创力文档摘要
摘要
集成电路中工艺节点的特征尺寸随着半导体技术的不断发展而持续缩小，光
源波长与特征尺寸之间的不匹配引发了可造成光刻成像畸变的光学邻近效应，使
得光刻过程中实际刻蚀的图形产生形变或偏差。这种形变容易导致芯片发生短路
或开路等缺陷，形成可能导致芯片功能异常或性能不佳的光刻热点，进而严重影
响了集成电路的制造良率。因此，光刻热点检测是确保芯片性能的关键步骤之一。
传统光刻热点检测方法计算开销较大，而部分基于深度学
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集成电路中工艺节点的特征尺寸随着半导体技术的不断发展而持续缩小，光
源波长与特征尺寸之间的不匹配引发了可造成光刻成像畸变的光学邻近效应，使
得光刻过程中实际刻蚀的图形产生形变或偏差。这种形变容易导致芯片发生短路
或开路等缺陷，形成可能导致芯片功能异常或性能不佳的光刻热点，进而严重影
响了集成电路的制造良率。因此，光刻热点检测是确保芯片性能的关键步骤之一。
传统光刻热点检测方法计算开销较大，而部分基于深度学
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