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- 2026-03-04 发布于浙江
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IEEETRANSACTIONSONELECTRONDEVICES,VOL.63,NO.11,NOVEMBER20164521
TheRoleoftheFermiLevelPinninginGate
TunableGraphene-SemiconductorJunctions
FerneyA.ChavesandDavidJiménez
Abstract—Graphene-basedtransistorsrelyingonaconven-
tionalstructurecannotswitchproperlybecauseoftheabsence
ofanenergygapingraphene.Toovercomethislimitation,a
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