CN106783566A 一种Ge的N型欧姆接触制作方法 （东莞市广信知识产权服务有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN106783566A

(43)申请公布日2017.05.31

(21)申请号201611072571.1

(22)申请日2016.11.29

(71)申请人东莞市广信知识产权服务有限公司地址523000广东省东莞市松山湖高新技

术产业开发区新竹路4号新竹苑13栋6

楼607室

申请人东莞华南设计创新院

(72)发明人刘丽蓉王勇丁超

(74)专利代理机构广东莞信律师事务所44332代理人曾秋梅

(51)Int.CI.

HO1L21/28(2006.01)

HO1L21/285(2006.01)

权利要求书1页说明书2页附图1页

(54)发明名称

一种Ge的N型欧姆接触制作方法

CN1067835

CN106783566A

(57)摘要

本发明公布了一种锗基N型欧姆接触源漏电极的制作方法，该方法的步骤如下：在重掺杂的N型锗半导体上定义出欧姆接触区与非欧姆接触区；在欧姆接触区蒸发金属镍锡金属，并进行剥离工艺；然后进行合金工艺，使得镍锡与N型锗半导体形成半金属化合物；最后制作源漏电极金属镍/铝金属。

光刻定义出源凝区域

在源涵区域沉积镍