CN106783599B 制作偶极子天线的异质Ge基等离子pin二极管的制备方法 （西安科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN106783599B公告日2020.10.09

(21)申请号201611187745.9

(22)申请日2016.12.20

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN106783599A

(43)申请公布日2017.05.31

(73)专利权人西安科技大学

地址710054陕西省西安市雁塔路58号西

安科技大学

(72)发明人李妤晨岳改丽刘树林童军

(74)专利代理机构西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)61230

代理人闫家伟

(56)对比文件

CN1478304A,2004.02.25

US2002121678A1,2002.09.05

AlyE.Fathyetal.Silicon-basedreconfigurableantennas-concepts,

analysis,implementation,and

feasibility”.《IEEETRANSACTIONSON

MICROWAVETHEORYANDTECHNIQUES》.2003,第51卷(第6期),第I-Ⅲ部分，图1-4、12.

审查员陈燕坤

(51)Int.CI.

HO1L21/329(2006.01)

HO1L29/868(2006.01)权利要求书2页说明书8页附图7页

(54)发明名称

制作偶极子天线的异质Ge基等离子pin二极管的制备方法

(57)摘要

CN106783599B本发明涉及一种制作偶极子天线的异质Ge基等离子pin二极管的制备方法，所述偶极子天线的Ge基等离子pin二极管天线臂由多个Ge基等离子pin二极管依次首尾相连构成等离子pin二极管串，所述Ge基等离子pin二极管的制备方法包括：选取GeOI衬底并设置隔离区；刻蚀所述GeOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽，氧化所述P型沟槽和所述N型沟槽以形成氧化层；填充所述P型沟槽和所述N型沟槽，并采用离子注入在所述GeOI衬底的顶层Ge内形成P型有源区和N型有源区；在所述GeOI衬底上生成二氧化硅；利用退火工艺激活有源区中的杂质；在所述P型接触区和所述N型接触区光刻引线孔以形成引线；钝化处理并光刻PAD以形成所述Ge基等离

CN106783599B

步e

第家内N动P,共相子

CN106783599B权利要求书1/2页

2

1.一种制作偶极子天线的异质Ge基等离子pin二极管的制备方法，其特征在于，所述偶极子天线包括半导体基片GeOI,Ge基等离子pin二极管天线臂，同轴馈线和直流偏置线，所述的Ge基等离子pin二极管天线臂由多个Ge基等离子pin二极管依次首尾相连构成等离子pin二极管串，所述Ge基等离子pin二极管的制备方法包括：

(a)选取(100)晶向的GeOI衬底，并在所述GeOI衬底内设置隔离区，其中，顶层Ge的厚度为50μm,所述隔离区的深度大于等于所述GeOI衬底的顶层Ge的厚度；

(b)刻蚀所述GeOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽，所述P型沟槽和所述N型沟槽的深度小于所述GeOI衬底的顶层Ge的厚度，所述P型沟槽和所述N型沟槽的底部距GeOI衬底的顶层Ge底部的距离为0.5μm～30μm;

(c)在850℃下处理10分钟，氧化所述P型沟槽和所述N型沟槽以使所述P型沟槽和所述N型沟槽的内壁形成氧化层；

(d)利用湿法刻蚀工艺刻蚀所述P型沟槽和所述N型沟槽内壁的氧化层以完成所述P型沟槽和所述N型沟槽内壁的平整化；

(e)采用CVD工艺在所述P型沟槽和所述N型沟槽中淀积多晶SiGe,并填满所述P型沟槽和所述N型沟槽，并采用离子注入在所述GeOI衬底的顶层Ge内形成P型有源区和N型有源区且同时形成P型接触区和N型接触区，所述P型有源区和所述N型有源区的掺杂浓度均为0.5×102?cm?3;

(f)在所述GeOI衬底上生成二氧化硅；利用退火工艺激活有源区中的杂质；

(g)在所述P型接触区和所述N型接触区光刻引线孔以形成引线；钝化处理并光刻PAD以形成所述Ge基等离子pin二极管；

所述等离子pin二极管天线臂包括第