CN106783577A 一种采用湿法腐蚀工艺制作mems器件的方法 （上海集成电路研发中心有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN106783577A

(43)申请公布日2017.05.31

(21)申请号201611242619.9

(22)申请日2016.12.29

(71)申请人上海集成电路研发中心有限公司地址201210上海市浦东新区张江高斯路

497号

(72)发明人姚嫦娲肖慧敏

(74)专利代理机构上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275

代理人吴世华陈慧弘

(51)Int.CI.

HO1L21/306(2006.01)

B81C1/00(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图1页

(54)发明名称

一种采用湿法腐蚀工艺制作MEMS器件的方法

(57)摘要

CN106783577A一种采用湿法腐蚀工艺制作MEMS器件的方法，用于改善MEMS器件牺牲层释放工艺中的结构损伤，包括将硅片放置在湿法设备工艺腔中的工艺平台上，并随工艺平台一起旋转；将湿法刻蚀药液从硅片上方喷淋到硅片表面进行刻蚀工艺，其中湿法刻蚀药液由HF和与HF互溶的有机溶剂混合而成；将第一湿法清洗药液从硅片的上方喷淋到硅片表面对硅片进行初步清洗，并对硅片背面进行去离子水喷淋，其中第一湿法药液为由去离子水和有机溶剂混合而成；将第二湿法清洗药液从硅片上方喷淋到硅片表面对硅片进行二次清洗，硅片背面去离子水喷淋，其中第二湿法药

CN106783577A

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CN106783577A权利要求书1/1页

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1.一种采用湿法腐蚀工艺制作MEMS器件的方法，用于改善MEMS器件牺牲层释放工艺中的结构损伤；其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1:提供一个半导体衬底，在所述的半导体衬底上淀积牺牲层材料，通过刻蚀形成牺牲层图形；其中，所述牺牲层材料为二氧化硅；

步骤S2:在所形成的牺牲层图形上再生长上层薄膜材料，通过光刻工艺形成刻蚀开口，将上层薄膜图形刻蚀出来；

步骤S3:采用湿法腐蚀工艺，通过上层薄膜形成的刻蚀图形开口将牺牲层材料腐蚀，从

而形成空腔或者悬臂梁结构；其具体包括：

步骤S31:将完成步骤S2工艺后的硅片放置在湿法设备工艺腔中的工艺平台上，并随所述工艺平台一起旋转；

步骤S32:将湿法刻蚀药液从硅片上方喷淋到所述硅片表面进行刻蚀工艺；其中，所述湿法刻蚀药液由HF和与HF互溶的有机溶剂混合而成；

步骤S33:将第一湿法清洗药液从所述硅片的上方喷淋到硅片表面对硅片进行初步清洗，并对硅片背面进行去离子水喷淋；其中，所述第一湿法药液为由去离子水和有机溶剂混合而成；

步骤S34:将第二湿法清洗药液从硅片上方喷淋到硅片表面对硅片进行二次清洗，硅片背面去离子水喷淋；其中，所述第二湿法药液为由去离子水和有机溶剂混合而成；

步骤S35:高温氮气喷淋硅片表面对硅片进行干燥。

2.根据权利要求1所述采用湿法腐蚀工艺制作MEMS器件的方法，其特征在于，所述湿法刻蚀药液、第一湿法药液和/或第二湿法清洗药液在使用前需预先在一个磁场缓冲区进行磁化以初步减小所述湿法刻蚀药液、第一湿法药液和第二湿法清洗药液的表面张力；其中，磁化工艺的磁场强度为0-1000mT,工艺时间不少于2min。

3.根据权利要求2所述采用湿法腐蚀工艺制作MEMS器件的方法，其特征在于，所述湿法刻蚀药液中添加有表面活性剂。

4.根据权利要求1所述采用湿法腐蚀工艺制作MEMS器件的方法，其特征在于，所述步骤S33和步骤S34中的硅片背面去离子水喷淋为硅片背面热去离子水喷淋